Actualités mémoires

OCZ quitte le marché de la mémoire

Tag : OCZ;
Publié le 13/01/2011 à 14:53 par / source: TechConnect
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OCZ Technology a indiqué qu’il allait quitter le marché des barrettes mémoire, ce afin de se concentrer sur le marché SSD. Les SSD représentent en effet désormais 78% du chiffre d’affaires de la marque, qui croit plus dans ce marché porteur sur lequel il est très actif.

La mémoire vive était pourtant le créneau initial d’OCZ lors de son lancement en 2002, en étant l’un des premiers avec Corsair à lancer de la DDR400 fonctionnant avec un CAS Latency de 2. Depuis maintenant 3 ans, OCZ est très actif dans le domaine des SSD, ayant participé à la démocratisation des modèles à base de puces JMicron, puis Indilinx et maintenant SandForce.

Dossier : Mémoire & Core i7/i5 Sandy Bridge

Publié le 12/01/2011 à 16:54 par
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Nous venons de mettre à jour notre dossier « DDR3 : Influence des canaux & timings » afin d’y ajouter les processeurs Intel Core i5-2500K et Intel Core i7-2600K LGA 1155. Quelle est l’impact du double canal par rapport au simple canal ? L’influence des latences par rapport à la fréquence ? L’apport des mémoires DDR3-1866/2133 sur cette plate-forme ?

> Dossier : DDR3, influence des canaux & timings

Samsung premier sur la DDR4

Tags : DDR4; Samsung;
Publié le 05/01/2011 à 09:20 par
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Alors que le standard n’est pas encore finalisé par le JEDEC, Samsung annonce qu’il a terminé le mois le dernier le développement du premier module de DDR4. Fonctionnant en DDR4-2133 à seulement 1.2v, ces barrettes utilisent des puces gravées en 30nm.


Samsung indique que ses puces de DDR4 atteindront des débits de données de 1.6 à 3.2 Gbps, soit le double de ses puces DDR3. Les modules 2 Go DDR4 Samsung ont déjà été échantillonnés à fabricant de contrôleur mémoire pour test, et Samsung annonce travailler activement avec le JEDEC afin de finaliser le standard DDR4 avec le JEDEC durant le second semestre.

Samsung était déjà le premier sur la DDR en 1997, sur la DDR2 en 2001 et sur la DDR3 en 2005.

DDR3 en 30nm pour Elpida

Tags : DDR3; Elpida;
Publié le 21/12/2010 à 17:04 par
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En septembre dernier, Elpida avait annoncé avoir développé sa première puce de 256 Mo de DDR3-SDRAM fabriquée en 30nm. Destinée à fonctionner en DDR3-1866 en 1.5V ou en DDR3-1600 en 1.35V, cette mémoire permet d’augmenter de 40% le nombre de puce par wafer par rapport à celle en 40nm, d’où un net abaissement du coût de production.


Comme prévu, Elpida indique ce jour qu’il a commencé à échantillonné les premières barrettes utilisant ces mémoires. Ces barrettes de 4 Go en SO-DIMM consomment 20% de moins que la génération précédente, la production en volume devant débuter dans le courant du premier trimestre 2011.

Dossier : DDR3, influence des canaux & timings

Tag : DDR3;
Publié le 20/12/2010 à 07:45 par
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Quel est aujourd’hui l’impact de la mémoire sur les performances ? La DDR3 a-t-elle changé les règles ? Nous avons fait le point sur les quatres plateformes du moment pour le vérifier !

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