Actualités mémoires

Nous vous parlions en février dernier des travaux de la société Intelligent Memory destinés à fournir des barrettes DDR3 "classiques" de 16 Go.

Pour rappel, à l'heure actuelle les fabricants de mémoire se limitent à des dies offrant une capacité de 512 Mo. Les dies pouvant être au maximum 16 sur une barrette classique dite unbuffered, la capacité maximale d'une telle barrette est donc en l'état de 8 Go.

Pour contourner ce problème, la société IM a mis au point une technique de die stacking visant à transformer deux dies de 512 Mo en un die de 1 Go "virtuel". IM annonce aujourd'hui la disponibilité de ses puces ainsi que de barrettes DIMM et SO-DIMM de 16 Go, sans en préciser le prix.

Attention toutefois puisque si elles sont compatibles avec les processeurs AMD, chez Intel le support est très limité avec seulement les Atom C2000 "Avoton" et les Atom E3800 "Baytrail-I". Pour les processeurs plus classiques, IM indique que selon ses informations Intel ne prévoit pour le moment pas de support officiel.

Toujours selon IM, ASUS aurait toutefois trouvé une parade et devrait offrir une mise à jour de bios pour ses cartes mères X79 Express afin de supporter jusqu'à 128 Go de mémoire au lieu de 64 Go auparavant !

Depuis le mois d'avril la mémoire connait une constante montée des prix. Selon les derniers relevés de DRAMeXchange  il faut en effet compter 4,31$ pour une puce de 512 Mo DDR3-1600 contre 3,66$ début avril, soit une hausse de près de 18%.

On est du coup à un tarif supérieur au plus haut de 2013, peu après l'incendie de l'usine SK Hynix, qui était de 4,27$ ! Rappelons qu'avant ce dernier il fallait compter 3,14$ pour acquérir une puce de ce type. Les capacités de production de cette usine sont bien entendu recouvrées depuis le temps, et il faut donc chercher les raisons ailleurs.

Les fabricants de mémoire ont ainsi globalement décidé de baisser leur production de DRAM destinée au PC, que ce soit au profit de DRAM destinée au marché mobile ou pour la conversion de lignes DRAM vers la NAND. Des choix facilités par la concentration du marché, puisque pour rappel 90% de la production est entre les mains de trois acteurs (Micron, SK Hynix et Samsung).

Nous vous en parlions en novembre dernier, la prochaine génération de Xeon Phi (Knights Landing) prévue pour la mi-2015 intégrera jusqu'à 16 Go de mémoire embarquée ultra-rapide délivrant une bande passante de l'ordre de 500 Go /s.

On apprend aujourd'hui que cette mémoire sera produite par Micron, qui l'a développée en collaboration avec Intel en prenant pour base l'Hybrid Memory Cube dont on parle depuis quelques années déjà. Les puces se trouveront sur le même packaging que les Xeon Phi, et seront reliées à ce dernier par une interface à très haute vitesse.

Dans son communiqué Micron indique que cette mémoire a une bande passante 5x supérieure à la DDR4 tout en prenant 50% de place en moins et avec un ratio bande passante/consommation multiplié par 3.

Pour rappel ces nouveaux Xeon Phi gravés en 14nm devraient gérer l'AVX-512, la DDR4, le PCIe Gen3 et seront disponibles en version Socket comme en carte fille PCIe. Un Xeon Phi pourra intégrer jusqu'à 72 cœurs de type Silvermont associés par paire, gérant chacun deux grosses unités vectorielles prenant en charge le traitement des instructions AVX-512 et partageant un cache L2 de 1 Mo. En sus de la mémoire embarquée, ils géreront six canaux de DDR4 permettant d'adresser 384 Go de mémoire supplémentaire.

Crucial est le premier à annoncer la disponibilité de barrettes DDR4. Destinées aux serveurs, ces premiers modules sont optimisés pour la famille de processeur Intel Xeon E5-2600 V3, soit les Haswell-EP qui n'ont pas encore été annoncés mais devraient arriver au cours de ce troisième trimestre.

Différents formats sont disponibles, ECC SODIMM, ECC UDIMM, RDIMM, VLP RDIMM et LRDIMM, avec des capacités par barrette variant de 4 à 32 Go. Dans tous les cas les barrettes fonctionnent en DDR4-2133 à 1.2V, avec un CAS à 15. Un kit 32 Go (2x16 Go).

Pour information les 32 Go (2x16 Go) de DDR4 PC4-17000 en RDIMM sont vendus 440 €. Reste à trouver l'Haswell-EP !

En attendant la DDR4 qui devrait apporter son lot de nouveauté et qui débarquera dans un premier temps en fin d'année sur LGA2011-3, les fabricants de mémoires cherchent des nouveautés à se mettre sous la dent.

G.Skill semble avoir choisi de s'attaquer au SO-DIMM puisqu'après avoir lancé un kit 8 Go (4 Go x2) DDR3-2133 11-11-11-34 1.35V en novembre 2013 puis un kit 16 Go (8 Go x2) DDR3-2133 11-11-11-31 1.35V en mars c'est au tour de Ripjaws en kit 32 Go (8 Go x4) de voir le jour.


On conserve une tension de 1.35V seulement pour des latences de 11-11-11-31 en DDR3-2133 mais on passe donc à 4 barrettes. Bien entendu encore faut-il que le portable dispose de 4 emplacements SO-DIMM, GSkill a utilisé un MSI GT70 2OC pour le screenshot ci-dessus.