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Ca y'est ! Micron au travers de son site de vente en ligne Crucial.com  vient enfin de mettre la DDR SDRAM PC2100 au même prix que la SDRAM PC133.

A titre de rappel, Micron avait indiqué au mois de Février que la PC2100 serait au même prix que la PC133 dans le courant du second trimestre ... et a donc respecté ce délai.

Le site russe iXBT  a remarqué que Micron avait baissé le prix de sa mémoire DDR-SDRAM PC2100 sur son site de vente en ligne Crucial.com . En fait, lorsque l'on y regarde de plus près, ce n'est pas uniquement le prix de la mémoire PC2100 qui a baissé depuis un mois mais celui de tous les types de mémoire :

Voici les résultats financier d'Infineon, l'un des trois plus gros fabricants de mémoires au monde :

Q2 2000 1.53 Milliards d'Euros de C.A. pour 123 Millions d'Euros de bénéfices
Q1 2001 1.66 Milliards d'Euros de C.A. pour 257 Millions d'Euros de bénéfices
Q2 2001 1.65 Milliards d'Euros de C.A. pour 23 Millions d'Euros de bénéfices

Comme vous pouvez le voir, si le chiffre d'affaire est plus que correct, ce n'est pas le cas des bénéfices qui s'effondrent. Pourquoi ? A cause du prix de la mémoire pardi ! En effet, Infineon a vendu pour 516 Millions d'Euros de mémoires ce trimestre, c'est à dire 22% de moins qu'au Q2 2000 mais 8% de plus qu'au Q1 2001. Mais c'est au niveau du résultat de cette branche d'activité que ça fait mal : 134 Millions de pertes ce trimestre, contre 193 Millions de bénéfices au Q2 2000 et 66 Millions au Q1 2001.

Mais selon Infineon, et c'est ce qui nous intéresse, le prix de la DRAM devrait reprendre du poil de la bête d'ici au second semestre 2001. En effet, le prix de la mémoire s'est stabilisé à un niveau très bas en Avril, et les signes d'une future hausse des prix commencent à pointer le bout de leur nez : hausse de la demande, baisse des stocks chez les constructeurs de PC. Reste maintenant à savoir s'il s'agira d'une légère hausse du prix comme ce fut le cas en Mars ou d'une tendance plus lourde.

Ca s’agite autour de la MRAM. Alors qu’en Décembre 2000 IBM et Infineon annonçait leur association afin de développer conjointement ce type de mémoire et qu’en Février 2001 Motorola avait la démonstration des premières puces, on en sait plus sur les plans de ces deux acteurs. Ainsi, Motorala prévoit de produire des chips de 512 Ko dès 2003, alors qu’IBM et Infineon envisagent de passer directement à des puces de 16 et 32 Mo fabriquées en 0.13 Micron en 2004. Si vous ne connaissez pas encore la MRAM, vous pouvez lire cette news postée en décembre qui en expliquait le principe :

IBM et Infineon viennent d'annoncer leur association afin de développer conjointement la MRAM. La MRAM, ou Magnetic Random Access Memory, n'utilise pas une charge électrique pour stocker les bits contrairement à la Dynamic Random Access Memory, mais une charge magnétique, comme les disques durs par exemple. Selon IBM et Infineon la MRAM aurait à la fois les avantages de la SRAM (vitesse - environ 10 nanosecondes de temps d'accès a priori), de la DRAM (haute capacité, coût réduit) et de la Flash Memory (non volatilité), tout en consommant très peu (bon point pour les appareils mobiles donc). Bien entendu la lecture et l'écriture ne se feront pas comme sur un disque dur via un ensemble de bras portant des têtes de lecture / écriture.

En fait, les données sont stockées entre deux couches ferro-magnétiques. Les bits sont codés en orientant les éléments magnétiques, soit dans le sens parallèle ou non-parallèle ce qui crée une différence de potentiel entre les deux couches. Le courant passant en suite dans l'élément lit ces bits, à la manière d'une tête magnéto résistive de disque dur. L'écriture se fait en orientant ces éléments magnétiques au moyen d'un champ magnétique crée entre les deux couches via un lien entre ces deux dernières.

Le principal avantage est l'absence de tout transistor ou capacité qui nécessite d'être alimentée en continu pour garder son état. S'en suit donc une consommation électrique et un dégagement calorifique très fortement réduits. Le principal problème consiste en la présence de très nombreuses couches de métaux, de l'épaisseur de quelques atomes dont le but est de récréer une sorte de relief.

A cause de l'extrême complexité et concentration de ceux-ci (on se rapproche de plus en plus de la nano-techonogie), les premiers produits MRAM ne devraient voir le jour qu'aux environs de 2003-2004 dans le meilleur des cas.