Actualités mémoires

Micron + Hynix = ???

Publié le 04/12/2001 à 10:18 par / source: Micron
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Micron et Hynix, deux géants du marché de la mémoire, ont annoncés avoir entamé des discussions concernant une alliance stratégique. Fusion, joint venture ? Nul ne le sait, mais une chose est sûre ce genre de regroupement est nécessaire pour passer la crise actuelle.

Détails sur la QBM

Publié le 30/11/2001 à 10:22 par / source: The Inquirer
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Voici quelques détails intéressants sur la mémoire QBM (Quad Band Memory), qui devrait être supportée par le P4X333 de VIA. Pour rappel, cette technologie permet en fait de doubler la bande passante des mémoires actuelles. Pour se faire , les puces de mémoire DDR sont reliées à un transistor à effet de champ qui leur permet de travailler en couple : la première fonctionne à la fréquence d'origine, alors que la seconde fonctionne avec un décalage d'un quart de période (2.5 ns à 100 MHz par exemple).

Le CEO de Kentron, la société a l’initiative de cette technologie, a indiqué que le nombre de chip nécessaire à fabriquer des barrettes QBM avait été fortement réduit, notamment au niveau des transistors à effet de champ qui passent de 18 à 9. Du coup, les premières barrettes de QBM basée sur des barrettes de PC2100, qui sont prévues pour le premier trimestre 2002, ne devraient coûter que 10$ de plus à produire que des barrettes standard. Reste maintenant à voir quelles seront les performances de la QBM en pratique ...

Moins de DRAM chez Hitachi

Publié le 29/11/2001 à 21:16 par / source: EETimes
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Hitachi vient d’annoncer la suppression de 430 emplois dans une de ses usines situées à Singapore. Cette usine, spécialisée dans la DRAM et disposant d’une capacité de production de plus de 33000 Wafers par mois, devrait voir sa production passer à 10 000 Wafers par mois, contre 20 000 jusqu’alors. Cette décision découle bien entendu du marché assez morose de la DRAM. L’usine devrait désormais se concentrer sur la fabrication de mémoires Flash et SRAM.

Hausse de la DDR-SDRAM !

Publié le 29/11/2001 à 15:57 par / source: DigiTimes
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Après la SDRAM, c'est au tour de la DDR-SDRAM de voir son prix flamber. En effet, selon Digitimes le prix des puces de 128 Mbits de DDR-SDRAM, que l'on retrouve sur les barrettes simple face de 128 Mo et les barrettes double face de 256 Mo, aurait augmenté de 80% en un mois, pour atteindre 2.6-2.8$ ! Cette hausse proviendrait de l'augmentation de la demande qui est due à de nombreux facteurs (baisse de l'écart de prix avec la SDRAM, lancement de la plate-forme P4 + DDR, hausse des ventes de cartes graphiques ...).

Cette hausse nous a par ailleurs été confirmée en France, puisque les prix d'achats pour une barrette de 256 Mo DDR-SDRAM auraient augmentés de plus de 50% en quelques jours ! Pour l'instant, si l'on en croit les prix de la DDR-SDRAM  sur Monsieur Prix , les revendeurs n'ont pas vraiment augmentés leurs tarifs, mais cela ne saurait tarder.

Toutefois, cette hausse pourrait ne pas durer. En effet, toujours selon Digitimes, la production de DDR-SDRAM devrait doubler d'ici un mois. Samsung devrait augmenter sa production de 50%, Hynix de 100%, Micron de plus de 100% et Nanya de 200%. Wait & See ...

0.022 Micron en 2016 !

Publié le 29/11/2001 à 15:21 par / source: ExtremeTech
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La Semiconductor Industry Association  a publié la version 2001 de sa roadmap concernant la finesse de gravure utilisée dans l'industrie des semi-conducteurs. Dans la roadmap précédente, datée de 1999, cette association prévoyait par exemple pour la DRAM le 0.10 Micron en 2005, le 0.07 Micron en 2008, le 0.05 Micron en 2011 et le 0.035 Micron en 2014. Dans la nouvelle roadmap, on parle de 0.09 Micron en 2004, de 0.065 en 2007, de 0.045 Micron en 2010, de 0.032 Micron en 2013 et de 0.022 Micron en 2016. La loi de Moore a encore de beaux jours devant elle !

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