0.022 Micron en 2016 !

La Semiconductor Industry Association  a publié la version 2001 de sa roadmap concernant la finesse de gravure utilisée dans l'industrie des semi-conducteurs. Dans la roadmap précédente, datée de 1999, cette association prévoyait par exemple pour la DRAM le 0.10 Micron en 2005, le 0.07 Micron en 2008, le 0.05 Micron en 2011 et le 0.035 Micron en 2014. Dans la nouvelle roadmap, on parle de 0.09 Micron en 2004, de 0.065 en 2007, de 0.045 Micron en 2010, de 0.032 Micron en 2013 et de 0.022 Micron en 2016. La loi de Moore a encore de beaux jours devant elle !