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450 mm, tout le monde s'accorde !
Nos confrères d'EEtimes rapportent aujourd'hui la création de deux plans d'investissements concernant les semi conducteurs dans l'état de New York, aux Etats Unis. Le premier concerne l'alliance technologique "Common Platform" (IBM, GlobalFoundries et Samsung) qui annonce un investissement de 3.6 milliards de dollars sur le développement des process de fabrication en 22 et 14nm.
L'autre investissement est encore plus particulier puisqu'il s'agit de l'annonce du Global 450 Consortium (G450C), un regroupement de l'industrie autour de la transition vers des wafers de 450mm de diamètre (contre 300 aujourd'hui). Pour rappel, augmenter le diamètre des wafers permet de réaliser des économies d'échelle en augmentant la quantité de puces que l'on peut produire.
Cette transition de l'industrie, voulue depuis des années par Intel s'est heurtée jusqu'ici au reste de l'industrie (Intel dépend également des fabricants d'outils de photolithographie, eux-mêmes dépendant des autres fabricants de semiconducteurs), plutôt hésitante sur le sujet. Les transitions successives vers des procédés de gravures de plus en plus fins ont conduit à une diminution de la taille des puces, qui si elle est compensée chez Intel par une augmentation des transistors, ne l'est pas forcément pour tous les clients des autres fabricants.
L'investissement à New York sera réalisé en partie par Intel qui y construira un centre de recherche et de développement autour de cette technologie. L'annonce la plus importante tient aux membres annoncés du Global 450 Consortium, à savoir bien évidemment Intel, mais également les membres de la Common Platform (IBM, GlobalFoundries, Samsung) et TSMC qui investiront conjointement 575 millions de dollars sur le sujet. Les constructeurs d'outils comme ASML ont également indiqué qu'ils proposeraient sous peu des solutions 450 mm de type EUVL.
GlobalFoundries, jusqu'ici réticent sur le 450 mm a évoqué son arrivée possible pour le node 14nm. Intel de son côté n'a pas précisé de délai pour sa transition à cette technologie.