Les derniers contenus liés aux tags SK Hynix et 3D NAND

A l'occasion de la présentation  de ses résultats financiers, SK Hynix a réaffirmé sa volonté de voir 2017 comme l'année de la DRAM en 1x nm et de la NAND 3D 72 couches.

Il y a un peu plus de 5 ans, SK Hynix évoquait déjà sa "Middle-1x nm", qui supposait le passage à une gravure inférieure à 20 nm dès 2012 pour sa mémoire volatile. Nous sommes en 2017, et le coréen confirme : ça arrive !

Désormais nommée "1x nm", cette finesse de gravure (en réalité sans doute du 18 nm) sera, selon SK Hynix, prête à être utilisée dans ses usines dès la seconde partie de cette année, pour le lancement d'une production en masse. Pour rappel, Samsung grave déjà de la DRAM en 1x nm depuis avril dernier.

Parallèlement à la DRAM, SK Hynix a également évoqué la NAND 3D. Il prévoit de donner rapidement un successeur à son procédé 48 couches éprouvé depuis l'an dernier. La NAND 3D-V4 à 72 couches devrait ainsi faire son apparition cette année, via des modules de 256 Gb en TLC, tout d'abord, avant d'attaquer une déclinaison 512 Gb (toujours en TLC) en fin d'année. De quoi accroître la capacité des SSD actuels, même quand ces derniers sont contraints par un format de petite taille (M.2).

SK Hynix a enfin confirmé l'information selon laquelle il allait consacrer un second étage de son usine M14 pour produire davantage de NAND 3D, en réponse à la demande croissante du marché concernant ce type de mémoire et à la pénurie actuelle en la matière.

Comme nous l'écrivions récemment, Toshiba cherche à vendre une partie de son activité semi-conducteurs afin de faire face à des problèmes de trésorerie. Et si nous évoquions la piste Western Digital, une autre attire aujourd'hui l'attention des analystes.

Comme le rapporte Business Korea , la réaction de SK Hynix vis à vis de cette porte laissée ouverte par Toshiba est très attendue.

D'une part, parce que cela donnerait à SK Hynix l'occasion de quitter le pied du podium des fabricants de NAND. Au troisième trimestre 2016, Samsung était solide leader (36,6% du marché), Toshiba second (19,8%), alors que SK Hynix ne pointait qu'à la quatrième place (10,4%).

D'autre part, et malgré le rachat en 2012 de la société américaine Link A Media Devices (qui avait dessiné notamment les contrôleurs des Corsair Neutron), SK Hynix pourrait profiter du savoir faire de Toshiba en matière de contrôleurs.

SK Hynix a également loupé récemment l'occasion d'accroître son activité dans les semi-conducteurs : alors que la société convoitait une usine de capteurs mise en vente par... Toshiba, Sony a profité de l'hésitation du constructeur coréen pour lui couper l'herbe sous le pied. SK Hynix n'aurait probablement pas envie de renouveler son erreur.

Enfin, les deux protagonistes ont mis fin  il y a deux ans à un litige qui les opposait en matière de propriété intellectuelle et ont débuté une collaboration dans la technologie de lithographie par nano-impression, l'une des voies ouvertes vers le futur de la litographie.

Tous ces arguments mis bout à bout, rendent crédibles la participation de Hynix dans les activités de Toshiba. Aucune des deux entreprises n'a, pour l'heure, commenté cette hypothèse.

Le site benchlife.info  a publié un extrait de la roadmap SSD grand public d'Intel. Après les modèles 600p lancés cet été, équipés de NAND 3D, Intel lancera l'année prochaine des 610p.

On ne sait pas encore grand chose de ces modèles, si ce n'est qu'ils seront équipés de la seconde génération de NAND 3D d'Intel.

Il s'agira là aussi de modèles M.2 de 80mm de long (M.2 2280) en PCIe/NVMe, ils seront proposés dans des capacités de 128, 256, 512 Go, ainsi que 1 et 2 To. Leur lancement est prévu d'après nos confrères au quatrième trimestre 2017.

Au troisième trimestre, on verra arriver deux autres nouveautés, avec d'abord une version "BGA" du 600p, il s'agira en pratique de M.2 compacts (M.2 1620). Cette version sera disponible en 128, 256 et 512 Go.

Enfin on notera que sur l'entrée de gamme, les actuels 540s seront eux aussi succédés par une version NAND 3D. Les 540s ont la particularité d'utiliser de la TLC 16nm SK Hynix contrairement à ses autres modèles. Le 545s utilisera donc de la NAND 3D et sera disponible à la fois au format SATA et M.2. Les capacités démarreront dans les deux cas à 256 Go et atteindront 2 To en SATA, et 1 To en M.2. Intel devrait tout de même selon la roadmap conserver les 540s dans sa gamme. Ces 545s devraient être lancés au troisième trimestre 2017.

Toshiba vient d'annoncer avoir produit des puces mémoires flash (NAND) à construction verticale (souvent appelée 3D NAND) à 48 couches. Pour rappel, en 2007  Toshiba avait été le premier à produire une technologie de mémoire ou l'organisation des cellules se fait non plus de manière horizontale comme traditionnellement, mais cette fois ci de manière verticale.

La mémoire NAND traditionnelle au milieu en haut peut être empilée (Stack), la stratégie classique que l'on voit à droite, ou bien transposée verticalement (le chemin de gauche) pour réaliser une structure appelée BiCS par Toshiba qui peut être vue comme le pendant du FinFET pour la NAND

En 2007, Toshiba ne précisait pas le nombre de couches qu'il avait réussi à superposer dans sa structure mais évoquait dans son communiqué de presse le nombre de 32 pour expliquer les difficultés de l'empilement. Presque huit années après, le constructeur indique aujourd'hui avoir produit des puces 48 couches de 128 Gbits (16 Go) qui sont disponibles dès aujourd'hui sous la forme d'échantillons.

Toshiba indique également qu'il commercialisera cette mémoire à partir de 2016, elle sera fabriquée en volume dans la nouvelle Fab2 située à Yokkaichi au Japon. En 2014, Toshiba avait annoncé  remplacer cette ancienne usine par une nouvelle qui serait capable de produire de la mémoire NAND classique et « 3D » à compter de 2016. Le communiqué de la marque indique que la Fab2 devrait être opérationnelle durant la première moitié de 2016.

Cette structure de mémoire permet théoriquement d'augmenter fortement la densité même si pour l'instant, il faut se contenter de puces 128 Gbits pour ce premier échantillon. On rappellera que si Toshiba a été pionnier de cette technologie, Samsung avait été le premier à lancer la production de sa propre version de mémoire NAND verticale, baptisée V-NAND en 2013. Si l'agencement technique semblait légèrement différent du BiCS de Toshiba (voir notre article), le principe de base reste le même.

Cette V-NAND s'est ainsi retrouvée dans les SSD 850 Pro du constructeur sous la forme de puces empilant 32 couches. De son côté, si Toshiba met en avant l'empilement de 48 couches, on ne connait pas encore la finesse de gravure qui sera utilisée. Plus de détails seront probablement dévoilés d'ici à l'année prochaine. Pour le reste de la concurrence, Intel et Micron devraient proposer leur version 3D NAND 32 couches au second semestre 2015, tandis qu'il faudra attendre 2016 pour Hynix.