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SK Hynix vient d'annoncer son intention  de construire une nouvelle usine de fabrication de semi-conducteurs, dans la ville de Cheongju en Corée du Sud. La société investira environ 1.75 milliards d'euros dans la construction, qui démarrera au mois d'août prochain. La construction devrait être terminé en juin 2019 avec un début de production cette même année.

Le constructeur décrit dans le titre de son communiqué de presse cette usine comme dédiée à la mémoire NAND, et plus particulièrement à la 3D NAND. Cependant la société indique qu'elle pourrait, en fonction des besoins du marché, produire également d'autre types de mémoire (on pense plus particulièrement à de la DRAM).

En parallèle, SK Hynix annonce une extension de son usine de Wuxi en Chine, qui produit aujourd'hui la moitié de la DRAM du constructeur. Cet investissement d'un peu plus de 750 millions d'euros permettra d'augmenter l'espace de production pour mitiger les transitions vers de nouveaux nodes de fabrications, qui requièrent plus d'étapes et donc plus de machines. Ces travaux devraient être terminés en avril 2019.

Tout ce qui peut permettre d'augmenter la capacité de production de DRAM sera bienvenu, cette dernière voyant ses coûts augmenter massivement. Nous vous indiquions en début de mois que depuis l'été, la DRAM avait vu ses prix augmenter de 85%. On notera que 20 jours après ce relevé, le prix des puces de 1 Go de DDR4-2133 a encore augmenté de 5.5%, contre "seulement" 4.8% pour les puces 512 Mo !

Les prix de la mémoire continuent de grimper, ainsi par rapport à notre dernier point du 26 octobre on note des hausses de 7 à 8% selon les puces. Il faut ainsi compter selon les derniers relevés de DRAMeXchange  5,38$ pour une puce de 1 Go en DDR4-2133 et 2,7$ pour la version 512 Mo en DDR4-2133 comme en DDR3-1600.

Par rapport à cet été les tarifs des puces 512 Mo ont ainsi augmenté d'environ 85% ! Pour le Go en DDR4 la hausse n'est "que" de l'ordre de 50%, à l'époque deux puces de 512 Mo étaient moins chères qu'une de 1 Go alors que les tarifs sont désormais équivalents. Logiquement dans le commerce les barrettes de 16 Go, qui utilisent obligatoirement des puces 1 Go, ont moins augmenté que celles de 8 Go qui peuvent être constituées de puces 512 Mo ou 1 Go.

On est heureusement encore loin des tarifs enregistrés après l'incendie de l'usine SK Hynix à la rentrée 2013, et on reste même sous ceux d'avant l'incendie. A l'époque le prix d'une puce de 512 Mo DDR3-1600 étaient rapidement passés de 3,14$ à 4,3$ et n'avaient amorcés une baisse durable qu'à compter de l'été 2014.

Après une longue chute, qui avait vu entre autre la DDR4 et la DDR3 arriver à parité côté prix, la situation du marché de la DRAM a commencé à se stabiliser au début de l'été.

Alors qu'en février le prix "contractuel" pour la fabrication d'un module de SO-DIMM de 4 Go frôlait les 15 dollars, il était descendu fin juin à 12.50. Une légère remontée avait été amorcée au courant de l'été, ce même prix contractuel atteignant fin août 13.50.

A compter de la mi-septembre, les prix sont repartis significativement à la hausse, une hausse qui a continué tout le mois d'octobre. Au point que le site DRAMexchange  qui publie régulièrement les prix contractuels ne les a pas publiés fin septembre.

On peut cependant se reporter sur le prix des puces de mémoires 512 Mo (il en faut huit pour faire une barrette 4 Go, le prix contractuel couvrant également le coût du PCB et de l'assemblage). Autour de 1.804$ fin février, le prix des puces était descendu sous les 1.50 en juin. Aujourd'hui, au moment ou nous écrivons ces lignes, le prix moyen des puces est de 2.533$ pour la DDR4 (2.480$ pour la DDR3), soit une hausse de près de 69% en quatre mois !

Pour justifier cette hausse, on retrouve plusieurs facteurs. La demande saisonnière est évoquée par SK Hynix qui a publié aujourd'hui ses résultats financiers , indiquant que les OEM ont reconstitué leurs stocks avec une hausse des livraisons sur le trimestre de 8%. La forte demande de mémoire sur les smartphones joue également de manière indirecte, plusieurs acteurs préférant produire de la mémoire mobile (par exemple LPDDR4), plus rentable.

Gigabyte vient de lancer un nouveau mini-PC dans sa gamme Brix, le Brix Gaming UHD. Nous avions déjà entrevu rapidement ce modèle au Computex.

 

 

Visuellement, il s'agit d'une tour à base carrée (11cm de côté pour 22cm de hauteur) avec un coin aplati dans lequel on retrouvera la connectique de la carte mère, à savoir deux ports USB 3.0, deux ports USB 3.1 (un Type-A et un Type-C), un connecteur Gigabit Ethernet, les prises audio et deux connecteurs pour les antennes WiFi. A gauche de ces ports, on retrouvera ceux de la carte graphique, à savoir un HDMI et trois Mini DP.

Sur son site, Gigabyte met en avant l'existence de deux modèles, un en Core i5 et l'autre en Core i7 de génération Skylake. On aura donc au choix un Core i5-6300HQ (2.3/3.2 GHz) ou un Core i7-6700HQ (2.6/3.5 GHz). Pour le reste les caractéristiques sont identiques avec une carte mère utilisant le chipset HM170 d'Intel disposant de deux slots SO-DIMM DDR4.

La conception interne est assez originale puisque la carte mère est placée en diagonale dans le boîtier tandis que la carte graphique, une GTX 950 avec 4 Go de GDDR5, est placée sur un coin du boîtier. Il s'agit d'une carte MXM placée sur un PCB custom. Ce dernier est relié par deux câbles à la carte mère pour faire passer le signal PCI Express. La carte graphique est surplombée par un radiateur biseauté.

Sur la carte mère, on retrouve deux slots M.2 2280, reliés respectivement au chispet et au CPU, ainsi qu'un slot PCIe M.2 dans lequel est placée la carte WiFi Intel 8260 (ac). On pourra aussi placer deux disques SATA 2.5 pouces, un derrière la carte graphique, et l'autre dans le coin opposé à côté du radiateur processeur.

Le refroidissement est assuré par un ventilateur unique en 92mm qui aspire l'air par le bas et le fait traverser le boîtier pour sortir par le haut.

Ce design de Gigabyte a le mérite d'être original, même si il n'est pas sans nous rappeler, au moins dans l'idée de sa carte mère en diagonale le Mac Pro.

Gigabyte annonce un prix public autour de 949 euros pour la version Core i7, sans préciser clairement la disponibilité qui devrait arriver dans les prochaines semaines.

Comme beaucoup d'acteurs de l'industrie, GeIL cède à la mode de 2016 : les LED RGB. C'est sur ce point que va miser la future série de modules DDR4 du fabricant taïwanais, baptisée EVO X.

 

 

Pour garantir un haut niveau de qualité et de performances pour la mémoire en évitant les interférences, mais tout en proposant des fonctionnalités complètes au niveau de l'éclairage de ses modules, GeIL explique avoir recours à deux PCB. Le premier, classique, est le module mémoire à proprement parler alors que le second est dédié exclusivement aux LED RGB.

C'est le seul moyen selon le fabricant de pouvoir proposer une interface vers les systèmes de gestion des cartes-mères comme Aurora qui requièrent l'utilisation d'un contrôleur dédié. Il est ainsi possible de contrôler la couleur des modules, indépendamment ou de manière synchronisée, à partir de l'application fournie par Asus par exemple.

En contrepartie, il faut connecter chaque module via un câble dédié (seconde photo). Une multiplication des câbles qui ne facilitera pas le montage d'un système propre et GeIL réfléchit à la mise en place d'une solution plus élégante sur ce point. Le fabricant reconnait une complexification quelque peu tordue mais en même temps estime que cela permet de se différencier avec une fonctionnalité unique sur le marché.

Avec les EVO X, il est également possible de passer par un mode de gestion des couleurs interne au module. Pour cela il faut les alimenter via un autre câble (troisième photo) qui s'adaptera aux connecteurs pour ventilateurs de la carte-mère. La partie rouge des modules est un switch qui peut alors être déplacé sur la tranche pour sélectionner différents modes d'éclairage et de couleurs (rouge, vert, bleu et cycle RGB).

Ces modules seront proposés en blanc et noir avec des fréquences allant de 2666 MHz (1.2v) à 4133 MHz (1.4v). Ils existeront en versions 4, 8 et 16 Go pour former des kits dual et quad channel de 8 à 64 Go.