Les contenus liés au tag MLC 25nm

Après le lancement de sa gamme 510 équipée de mémoire NAND 34nm et d’un contrôleur Marvell, Intel s’apprête à lancer les véritables successeurs des X-25M. Baptisés Séries 320, il s’agira de la troisième génération de SSD MLC du constructeur qui devrait être disponible selon les roadmaps du constructeurs dans des tailles de 40, 80, 160, 300 et même 600 Go. L’augmentation de la densité est due bien entendu au passage vers des puces mémoires NAND en 25nm.

Le Series 510, concurrent des futurs Series 320

Selon nos confrères de VR-Zone , le lancement des Series 320 se fera à la mi-avril, avec des vitesses de 250 Mo/s en lecture et 170 Mo/s en écriture séquentielles. Des chiffres de 50000 et 40000 IOPS sont également avancés pour les lectures et écritures aléatoires (4 Ko). Il sera intéressant de voir comment Intel aura pris en compte la question de la longévité, complexifiée par le plus faible nombre de cycles d’effacement supportés par les puces en 25nm (3000 pour les puces Micron intégrées actuellement au lieu de 5 à 10k), mais aussi le positionnement relatif avec le Series 510. Car si sur le papier le Series 510 gagne en matière de débits séquentiels, le Series 320 est annoncé avec de meilleures aptitudes côté IOPS. Une situation que l’on doit en partie au fait que le lancement des successeurs des X-25M devait intervenir au quatrième trimestre 2010.

Nous en parlions il y’a une dizaine de jours, OCZ a crée la polémique en changeant en catimini la mémoire Flash NAND MLC de ses Vertex 2. L’impact est important sur les performances, puisqu’avec des données incompressibles on passe de débits en écriture séquentiels de 140 et 70 Mo /s sur les versions 120 et 60 Go 34nm à 70 et 35 Mo /s sur les versions 25nm ! Cet écart est lié à l’utilisation de puces 8 Go au lieu de puces 4 Go, qui sont donc en nombre moindre et ne permettent pas au SF-1200 d’utiliser tous ses canaux.

OCZ continue d’annoncer pour ces modèles un débit soutenu en écriture de 275 Mo /s, se basant sur des résultats obtenus sur des données fortement compressibles. Bien que non essentielle dans le cadre d’un disque système, l’écriture séquentielle pourra donc être près de 8 fois moins rapide avec des fichiers non compressible par le contrôleur SandForce !

Plus problématique pour un disque système, la capacité utile de ces SSD a pour rappel également été revue à la baisse, une plus grande partie de mémoire Flash étant réservée par le contrôleur pour assurer la fiabilité du SSD avec des puces de 8 Go. Seules les versions 60, 90 et 120 Go sont concernées :

- OCZSSD2-2VTXE60G : 55 Go ou 51,2 Gio utiles pour 64 Go de Flash
- OCZSSD2-2VTXE90G : 85 Go ou 79,2 Gio utiles pour 96 Go de Flash
- OCZSSD2-VTXE120G : 115 Go ou 107,1 Gio utiles pour 128 Go de Flash

La page produit des Vertex 2  a été mise à jour (cf. Usable capacity breakdown) pour prendre en compte ces données, toutefois OCZ continue de lister ces SSD comme étant des 60, 90 et 120 Go en sus des références, ce qui est inexact. Sur la page produit de la version 3"1/2, seule la version 120 Go est indiquée comme ayant une capacité réelle de 115 Go. Est-ce à dire que la version 90 Go 3"1/2 utilise des puces de 4 Go ?

Si OCZ a mis en place un programme d’échange pour ceux le désirant , une bonne initiative, nous ne pouvons nous satisfaire de la situation actuelle. Que les débits séquentiels en écriture annoncés correspondent à un cas bien spécifique et puissent être 4 à 8 fois inférieurs en pratique, c’est déjà limite, mais que la capacité réelle ne soit pas reprise dans la désignation officielle du produit, ce n’est pas acceptable !

Faute de réaction d’OCZ, il faut espérer que les revendeurs auront la délicatesse de mettre à jour les fiches techniques et dénominations de produit afin de refléter la capacité réelle des produits vendus. Ce n’est pour l’instant pas le cas, alors que ces derniers ne sont plus sans ignorer cette caractéristique mensongère ...

OCZ a stoppé la production des versions Vertex 2 60/90/120 utilisant des puces 8 Go 25nm pour utiliser des puces 4 Go 25nm, une configuration qui devrait permettre de retrouver les performances et l’espace disponible des versions 4 Go 34nm. Il devrait toutefois s’écouler quelques temps avant d’être sûr de tomber sur cette version. Sauf si la différence de prix ne se justifie pas, nous vous conseillons donc d’opter pour les Corsair Force F60/F120 qui utilisent des puces 34nm si vous voulez rester sur du SandForce SF-1200, ou pour un Crucial C300 à base de contrôleur Marvell.

Nous vous avions annoncé en décembre dernier que la marque OCZ serait l’une des premières à appliquer la transition de ses SSD vers des puces mémoires NAND en 25nm. Une transition qui s’est effectuée sans changer le nom du produit, ce qui aura vallu au constructeur de se faire épingler par certains de ses clients. Pour rappel, les Vertex 2 qui utilisent un contrôleur SandForce sont en effet passés de puces NAND Intel Micron 34nm utilisant deux dies superposés de 32 Gb à des puces 25nm utilisant un seul die de 64 Gb. Problème, les caractéristiques techniques des nouvelles puces mémoires ne sont pas identiques, particulièrement au niveau des cycles d’écritures tolérés.

Pour prendre en compte les limitations de cycles d'écritures, on rappellera qu’une partie des cellules sur chaque puce de mémoire flash est mise de côté (à la manière des secteurs supplémentaires sur un disque dur traditionnel), technique appelée overprovisionning. Le passage au 25nm fait qu’Intel/Micron recommande d’augmenter le pourcentage d’overprovisionning. Résultat, les Vertex 2 d’OCZ en 25nm ne font plus que 115 Go au lieu des 120 Go de la génération 34nm. Les clients qui ont acheté sans le savoir le modèle équipé de puces 64 Gb et souhaiteraient repasser à des modèles 32 Gb peuvent consulter le forum d’OCZ ou la >procédure d’échange, (désormais) gratuite, est expliquée . Deux options sont possibles, les utilisateurs de RAID qui ont besoin d’un second disque identique peuvent demander un « ancien » disque 34nm. OCZ semble cependant proposer à la majorité des utilisateurs des disques équipés de puces de 32 Gb en 25nm.

Le F115-A de Corsair, utilisant les mêmes puces NAND Micron/Intel 25nm.

Afin d’éviter de tomber dans les mêmes écueils, Corsair a annoncé que pour l’arrivée de ses modèles en 25nm, une nouvelle nomenclature serait utilisée. Seuls deux modèles sont pour l’instant concernés, les Force Series en 80 et 120 Go qui prennent désormais les noms de F80-A et F-115-A. Le A permet de distinguer les modèles basés sur des puces mémoires en 25 nm, tandis que les capacités réelles sont indiquées (le F115 correspond à l’ancien F120, et dispose d’une capacité formatée de 115 Go). Le constructeur propose une FAQ détaillant les changements sur son blog .

OCZ devrait lancer sous peu de nouvelles déclinaisons de ces SSD Vertex 2 et Agility 2. Affichant des capacités inédites chez OCZ de 80, 160 et 320, ces déclinaisons combinent le contrôleur SandForce SF-1200 avec des mémoires Flash MLC 25nm, probablement d’origine IMFT (Intel / Micron).

Les caractéristiques annoncées sont identiques aux modèles 34nm, soit 285 Mo /s en lecture séquentielle, 275 Mo /s en écriture séquentielle (250 Mo soutenus) et 50 000 IOPS en écriture aléatoire 4 Ko pour les Vertex 2 contre 10 000 pour les Agility 2.

C’est surtout du côté tarifaire que la 25nm est attendue, mais malheureusement pour le moment selon nos informations le delta sur le prix au Go ne serait inférieur à 5% (en faveur de la 25nm). Espérons qu’il ne s’agisse que d’un premier pas !

AnandTech  publie les spécifications des futurs SSD Intel utilisant de la Flash 25nm et qui devraient débarquer en début d’année prochaine. Première chose, pour l’instant il n’est fait mention que du SATA 3 Gbits, et les débits passent à 250/170 Mo /s en lecture/écriture, contre 250/100 Mo /s actuellement.

Les performances en accès aléatoires grimpent également avec 50 000 IOPS en lecture sur des blocs de 4 Ko et 40 000 IOPS en écriture, contre 35 000 et 8 600 sur la génération actuelle. La consommation maximale, du fait de la présence d’une version 600 Go, augmentera pour sa part pour passer de 3 à 6 watts, alors que la durée de vie sur la gamme passera selon le modèle de 7.5 à 15 To d’écritures aléatoires 4 Ko à 30 à 60 To ! On note également la présence d’un cache en écriture protégé contre la perte de donnée du fait d’une coupure de courant, et le support du chiffrage AES-128.

Du côté des X25-E, qui utiliseront de la eMLC 25nm au lieu de la SLC 50nm, les débits passent de 250/170 à 250/200 Mo /s et les accès aléatoires de 35 000 / 3 300 IOPS à 50 000 / 5 000 IOPS. Côté usure, alors que les versions 32 et 64 Go actuelles supportent 1 et 2 Po d’écritures aléatoires 4 Ko, les versions 100, 200 et 400 Go sont donnés pour 900 To – 1 Po, 1 – 2 Po et 1,4 Po, des chiffres à prendre avec des pincettes vu l’intervalle important pour le 200 Go et le chiffre moindre annoncé pour le 400 Go.

Sur le papier, ces nouveaux X25 ont l’air intéressant, et devraient permettre à Intel de rattraper son retard sur les puces SandForce et Marvell en termes de performances synthétiques. Reste qu’au delà des performances, c’est plus encore l’aspect capacité / prix qui sera surveillé, la mémorie 25nm devant permettre de baisser les coûts.