Les derniers contenus liés aux tags Micron et Optane

Lenovo a présenté un peu en avance sur son blog  les prochains modèles de PC portables qu'ils introduiront au CES.

Ce qui retient notre attention est la présence du support de la technologie Optane d'Intel. Pour rappel, Intel avait présenté un nouveau type de mémoire sous le nom 3D Xpoint, s'intercalant entre la mémoire RAM (peu dense mais très rapide) et la NAND (très dense, moins rapide).

Le premier produit qui utilisera cette nouvelle mémoire est un accélérateur connu sous le nom de code Stony Beach et qui sera commercialisé comme Optane 8000p. Ces accélérateurs système se présentent sous la forme de cartes au format M.2 et Intel devrait lancer deux versions, en 16 et 32 Go. Lenovo indique qu'il proposera le modèle 16 Go sur certains de ses portables haut de gamme, en M.2 2241 (4.1 cm de long).

La manière exacte dont "l'accélération" sera effectuée reste assez floue aujourd'hui, une piste probable étant le mode SRT (Smart Response Technology)  des pilotes disques RST d'Intel. Dans ce cas l'accélérateur servira de cache pour les disques systèmes. Si Intel avait mis au point ce système de cache pour les disques durs SATA traditionnels à plateaux, on notera que les dernières versions supportent également les SSD NVMe.

Si Optane a un avantage de latence net par rapport à la NAND, les chiffres d'IOPS annoncés pour les modèles 16 Go ne changent pas dramatiquement la donne par rapport aux derniers SSD haut de gamme

Intel devrait dévoiler un peu plus de détails sur le fonctionnement exact de la technologie dans quelques jours lors du CES, ainsi qu'effectuer des démonstrations.

Il sera intéressant de voir en pratique ce que cela apporte, car si proposer un cache en amont d'un disque dur à plateaux sera forcément bénéfique, l'impact pratique d'Optane accolé à un SSD rapide utilisant ses propres stratégies de cache (RAM + utilisation de MLC/TLC comme SLC en écriture) risque d'être plus difficilement perceptible sur une utilisation grand public, au delà de quelques benchs savamment choisis !

Le Flash Memory Summit a été l'occasion pour Micron de reparler de mémoire 3D XPoint. Pour rappel, Intel et Micron avaient annoncé cette mémoire l'année dernière, avec pour ambition de proposer un intermédiaire entre la mémoire RAM classique (très rapide, volatile) et la NAND (moins rapide, mais non volatile).

Côté technique les deux sociétés n'avaient pas dévoilé grand chose, on sait désormais qu'il s'agit de mémoire à changement de phase (PRAM) associée à un switch Ovonyx. A l'époque, les constructeurs avaient indiqué que leur mémoire était en production et un lancement "courant 2016" était attendu. En début d'année cependant, les perspectives ne semblaient pas très encourageantes.

Plus récemment, chez Intel, une roadmap avait filtré en juin, laissant penser que les premiers SSD utilisant la mémoire 3D XPoint pourraient arriver entre la toute fin de l'année et le début de l'année prochaine. Intel utilisera la marque commerciale Optane pour distinguer ses disques, et l'on aurait droit dans un premier temps à un "accélérateur" m.2 (un petit SSD de faible capacité en PCIe x2) suivi de modèles PCIe Gen3 NVMe s'interfaçant d'abord en x4 puis en x2.

Côté Micron, le constructeur avait simplement dit qu'il fallait s'attendre à "voir" sa 3D XPoint cette année. C'est en quelque sorte ce qui s'est passé puisque Micron a fait une démonstration lors d'une présentation pendant le premier jour du Flash Memory Summit, annonçant au passage qu'elle sera disponible sous le nom commercial QuantX. Comme chez Intel, on verra d'abord sous la marque QuantX des SSD, la déclinaison DIMM étant prévue pour plus tard.

Côté technique donc, on notera la confirmation de la latence très faible évoquée à l'époque, environ 10 microsecondes en lecture et 25 en écriture, environ dix fois moins que ce que permet la mémoire NAND.

C'est du côté des IOPS que l'on aura obtenu un peu plus d'informations. Durant l'IDF 2015, Intel avait fait la démonstration d'un SSD atteignant 400 000 IOPS sur une charge de 70%/30% en lecture écriture QD8 sans préciser le nombre de lignes PCIe utilisées.

Lors de la démonstration du Flash Memory Summit, les prototypes de Micron ont atteint 900000 IOPS sur la même charge (70%/30%) sur un lien PCIe Gen3 x4, et près de 1.9 millions d'IOPS sur un lien x8. On notera que quatre capacités, 200, 400, 800 et 1600 Go étaient utilisées par Micron dans ses graphiques. Reste que pour ce qui est d'une éventuelle commercialisation, il faudra encore attendre. Un post de blog de Micron  se contentant de parler d'une sortie "au cours des douze prochains mois".