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EK Water Blocks vient d'annoncer  la mise sur le marché d'un nouveau bloc de watercooling destiné spécifiquement aux SSD 750 Series d'Intel. Nous vous avions présentés ces SSD PCI Express compatibles NVMe dans cette actualité.

Le bloc a été développé par EK Water Blocks en collaboration avec Intel, on ne s'étonnera donc pas d'y retrouver le logo de la firme de Santa Clara. La base est en cuivre recouverte de nickel tandis que la plaque avant est en acier inoxydable. En plus du système d'alimentation classique latéral, un système additionnel avec fixation vers le haut est fourni pour ceux qui n'auraient pas suffisament d'espace pour le bloc.

Si l'on peut se poser la question de l'intérêt d'un waterblock pour un SSD, on rappellera tout de même que les SSD modernes haut de gamme, du fait de l'augmentation de la densité et des performances tendent à voir leur consommation, et donc leur chauffe augmenter particulièrement en cas de charge soutenue. Le SSD 750 Series d'Intel par exemple, dispose d'une consommation en charge soutenue non négligeable, de 22 watts. Certains SSD (comme le SM951 de Samsung) voient leurs performances baisser au bout de plusieurs minutes de charge soutenue faute de refroidissement de leur contrôleur.

Comptez 90 euros pour ce bloc qui commence à être disponible dès aujourd'hui chez les revendeurs partenaires de la marque.

Le premier Keynote de cet IDF était l'occasion d'assez peu d'annonces concrètes même si certaines étaient intéressantes. Brian Krzanich n'aura pas parlé du tout des architectures à venir ou du retard du 10nm, préférant évoquer de grandes idées, parfois un peu vagues. Peut être pour ne pas parler des choses qui fâchent !

On passera donc rapidement sur les différentes initiatives logicielles et les divers partenariats mis en avant. On retiendra surtout qu'Intel continue de pousser fortement derrière sa technologie de caméras 3D RealSense avec des SDK pour a peu près tous les OS (y compris pour les systèmes dédiés à la robotique et aux IoT), et que de nouveaux constructeurs vont proposer des caméras 3D comme par exemple Razer dont un modèle était montré.

On notera également l'arrivée de nouveaux SDK pour Curie , l'implémentation du SoC Quark qui avait déjà été présenté lors du CES et qui vise le marché des wearables.


Le constructeur annonçait également des partenariats pour EPID, Enhanced Privacy ID, une technologie d'identification poussée depuis quelques années par Intel (voir ce PDF de 2011 ) et pour laquelle la société annonçait deux partenariats avec des vendeurs de microcontroleurs IoT (Atmel et Microchip). Une des idées présentée derrière EPID était d'utiliser des bracelets connectés intelligents (qui reconnaissent leur porteur) pour effectuer l'identification et remplacer les mots de passe dans le cadre de l'entreprise.


La vraie annonce concernait Optane, le nom commercial qu'Intel utilisera pour la mémoire 3D XPoint qui avait été présentée brièvement fin juillet. Il s'agira du nom de la marque qui regroupera la mémoire 3D XPoint avec le contrôleur et les firmwares dédiés. Au delà de l'annonce du nom, le constructeur a fait une démo rapide d'un early prototype de SSD Optane connecté en PCI Express (le constructeur n'a pas dit sur combien de lignes il était connecté) comparé à un SSD DC P3700.


Plusieurs tests de performances ont été montrés, réalisés sous IOMeter, montrant un avantage de 5 à 8x « pratique » selon les charges (70/30 lecture/ecriture, et lecture en QD 1 à 8) par rapport au SSD DC P3700. Pour ce qui est des détails techniques, nous n'en aurons pas eu durant le keynote. Nous avons tout juste obtenu la confirmation qu'Intel proposera des disques au format « SSD » mais également sous la forme de DIMM DDR4. Des DIMM qui seraient utilisables sur une future plateforme serveur Intel non annoncée ou elle pourrait même cohabiter avec des DIMM de DRAM classiques (on ne sait pas de quelle manière). Il faudra attendre l'année prochaine pour avoir plus de détails !

Intel et Micron viennent d'annoncer conjointement une nouvelle technologie de mémoire baptisée « 3D XPoint » (à prononcer « 3D Crosspoint »). Les deux sociétés ont présenté cette technologie comme une nouvelle classe de mémoire, à mi-chemin entre la DRAM et la NAND. Il s'agit d'une technologie mémoire non volatile (comme la NAND) mais annoncée comme significativement plus rapide.

Les deux sociétés ont été relativement muettes sur les détails mais on peut tirer quelques informations des grandes lignes qui ont été révélées. Techniquement on peut considérer 3D XPoint comme une « variante » de la NAND dont elle modifie les deux éléments principaux, le switch et la cellule de stockage.

Au niveau de la cellule de stockage, et contrairement à de la NAND, on ne retrouve plus de transistor : les données ne sont plus stockées sous forme d'électrons mais en utilisant le changement de propriétés des matériaux utilisés pour créer les cellules (les blocs jaunes/verts sur le schéma). Le type de matériaux utilisés (deux, étant donné les deux couleurs ?) n'est malheureusement pas précisé et l'on n'aura pas eu plus de détails sur le fonctionnement exact durant la présentation, même si Intel a confirmé à nos confrères d'EETimes  qu'il s'agissait bien de "changement de résistance", ce qui permet de classer 3D XPoint comme une variante de ReRAM. On sait que Micron s'intéresse à la ReRAM depuis un moment, par exemple avec cette recherche avec Sony, mais a l'époque le concept utilisé était différent, utilisant des transistors. D'un point de vue structurel, on semble s'approcher un peu plus de ce que proposait Crossbar, même si là encore l'absence de transistors est l'une des différences principale.

L'autre innovation se situe au niveau du switch qui permet de sélectionner les cellules auxquelles on souhaite accéder en faisant varier la tension, un mécanisme là aussi dénué de transistor. En pratique, exit le concept de blocs de la NAND, on peut lire et écrire les bits de données individuellement ! Qui plus est, il est possible de superposer ces structures switch/cellules en hauteur pour améliorer la densité.


Les deux sociétés se félicitent de gros chiffres qui malheureusement ne sont pas expliqués, avançant des performances 1000x supérieures à la mémoire NAND, sans préciser de quelle NAND il s'agit, ou même tout simplement du type d'opération concerné ! On suppose, à la lecture de certains documents qu'Intel ne parle pas de débits mais de latence puisqu'il annonce que contrairement à la NAND dont la latence est mesurée en microsecondes, la latence de XPoint est mesurée en nanosecondes (une affirmation bien floue !) [MAJ : Un document dédié aux équipes marketing d'Intel - voir en commentaires - semble confirmer qu'il s'agit bien de la latence qui est utilisée pour le facteur de 1000x évoqué. Un facteur de 10x entre la latence XPoint et DRAM est également sous entendu. Le même document évoque, par rapport aux offres NVMe actuelles, un avantage de 10x sans plus de détails ce qui est déjà plus raisonnable]. On imagine en pratique que l'écart sera surtout le plus visible sur les écritures aléatoires - ce qui a été vaguement sous-entendu lors de la session de questions/réponses - ou l'écart avec la NAND parait le plus élevé d'un point de vue technique. La question de l'écart de performance sur les opérations de lectures a été écartée par les représentants des sociétés. On se félicitera tout de même (avec les mêmes réserves) du fait que l'endurance est annoncée comme 1000x supérieure à la NAND.

Par rapport à la mémoire DRAM, les sociétés ne qualifient cependant pas le niveau de performances, indiquant juste que la densité est 10 fois plus élevée.

Pour le reste les détails sont minces, aucune information sur le process de fabrication utilisé n'a été donnée par exemple (certains de nos confrères indiquent un process 20nm, mais nous n'avons pas pu confirmer l'information). Pour ce qui est de produits en pratiques, le premier sera une puce de 128 Gbit qui à l'intérieur superpose deux couches de cette nouvelle structure switch/cellule. Des échantillons de ces puces devraient être disponibles « cette année » tandis que côté produits finaux il faudra attendre 2016.


En pratique ces puces devraient pouvoir permettre de réaliser, côté grand public, des SSD PCI Express très rapides dans toutes les circonstances même si la question du prix a été éludée. Intel a cependant parlé de l'intérêt de cette mémoire pour le jeu en général, laissant penser qu'il y aura des applications grand public. Au-delà du stockage, c'est surtout côté serveur que cette mémoire devrait se présenter comme un tiers intermédiaire entre la DRAM classique et la NAND, autour des applications type « big data ». La manière dont ces produits se matérialiseront, ou s'interconnecteront, reste malgré tout floue. Intel et Micron proposeront chacun de leurs côté des produits issus de la technologie.

Sans plus de détails sur le cout de la technologie ou ses performances réelles il est difficile d'en tirer plus, d'autant que le représentant de Micron a indiqué que cette technologie ne remplacerait pas la NAND 3D en tant que produit (nous supposons que la NAND 3D gardera, au moins au début, un avantage de cout massif). Malgré tout, les innovations techniques semblent extrêmement intéressantes et pourraient remplacer à terme la NAND traditionnelle. Nous espérons qu'Intel dévoilera un peu plus de détails techniques lors son traditionnel Intel Developer Forum qui se tiendra cette année du 18 au 20 août.

A la question "comment connecter un Intel SSD 750 2.5 pouces sur un PC ?", ASUS répond via l'Hyper Kit. Ce kit se compose d'un câble intégrant un connecteur SFF-8639 femelle pour le SSD, un connecteur d'alimentation SATA mâle pour l'alimentation et un connecteur personnalisé pour les 4 lignes PCIe.

Il faut brancher ce dernier connecteur sur une carte au format M.2 qui prend place au sein du connecteur M.2 de la carte mère. Pour profiter pleinement des performances du SSD 750 il faut que ce connecteur soit relié en PCIe Gen3 x4, ce n'est qui n'est pas systématique. C'est le cas sur la Sabertooth X99  annoncée mi-mars par ASUS et qui sera la première carte livrée avec l'Hyper Kit, mais uniquement aux Etats-Unis et au Canada.

Nous ne connaissons pas les raisons de cette limitation géographique, toujours est-il que de toute façon l'intérêt de partir sur un format 2.5" plutôt que carte fille est plus que limité avec une telle carte mère, puisqu'en cas d'utilisation du port M.2 le 3è PCIe x16 est de toute façon désactivé. Ce port est du coup libre de carte ce qui permet éventuellement d'avoir une carte triple slot sur second port PCIe x16, mais c'est donc surtout avec des cartes mères microATX voir Mini-ITX que le 2.5" SFF-8639 représente un avantage puisqu'il permet de préserver les 2 à 1 PCIe x16 pour les cartes graphiques.

A terme on peut se demander si ce type de solution ne se démocratisera pas, l'avantage étant d'offrir un débit doublé par rapport au SATA Express qui est limité à deux lignes PCIe ... soit "seulement" 2 Go /s en théorie et environ 1.7 Go /s en pratique.

Oubliant un peu son compteur, c'est finalement en ce 2 avril qu'Intel a décidé de lancer officiellement sa nouvelle gamme de SSD PCI Express, les SSD 750. Nous vous avions déjà dévoilé les grandes lignes de ce que proposeraient ces produits dans cette actualité, il s'agit pour rappel d'une déclinaison « grand public » de sa dernière gamme professionnelle lancée l'année dernière.

Côté connectique, ces disques se retrouvent à la fois au format carte PCI Express 3.0 x4 et 2.5" utilisant un connecteur SFF-8639, Intel mettant en avant ce format pour des mini-PC haute performance de chez ASUS, Digital Storm et Falcon Northwest.

Côté performances on s'approche de ce que proposait le P3500 avec des débits séquentiels annoncés de 2,4 Go/s en lecture et 1,2 Go/s en écriture (contre 2,5 et 1,7 pour le P3500). On notera cependant une différence importante sur les écritures aléatoires 4K : le constructeur annonce 440K IOPS en lecture (contre 450K) mais surtout 290K en écriture, un chiffre largement en hausse puisqu'il n'était que de 35K sur le P3500, dépassant pour le coup toute la gamme pro (le P3700 2 To culmine à 175K IOPS en écritures aléatoires 4K). Des niveaux de performances qui font baver sur le papier, mais en pratique à ce jour seuls de très rares usages permettront d'avoir une différence visible par rapport un SSD 2.5" SATA classique.

Deux capacités, 400 Go et 1.2 To sont annoncées, utilisant toutes deux de la mémoire flash NAND MLC 20nm Intel. Les chiffres de performances du modèle 400 Go sont un peu inférieures à celles du modèle 1.2 To mais restent élevées comme vous pouvez le voir sur ce tableau :


On notera que les performances sont mesurées sur un segment de seulement 8 Go dans le tableau. La consommation annoncée n'est pas anodine : 4 watts au repos, 22 watts en écriture et 10 watts en lecture pour le modèle 1.2 To (4, 12, 9 pour le 400 Go), mais Intel a au moins intégré un radiateur qui devrait permettre de maintenir les performances en cas de charge continue ce qui n'est pas forcément le cas de certains SSD M.2 PCIe qui consomment moins et en sont dépourvus. Remarquons enfin que côté endurance, Intel annonce 5 années à 70 Go d'écriture par jour quelque soit la capacité (alors qu'en théorie le chiffre devrait être triplé sur le 1.2 To) tout en donnant un maximum à 219 To au total soit 71% de plus.

L'autre particularité technique de ces disques est qu'ils utilisent le NVMe, un protocole standard qui permet de réaliser des pilotes pour SSD PCI Express, à la manière de l'AHCI. Par rapport à ce dernier il améliore significativement les performances en réduisant la latence, augmentant le nombre de commandes qui peuvent être placées en queue (l'AHCI est limité à 32, le NVMe à 65536) et en supprimant les problèmes de synchronisations qui permettent de réaliser des pilotes multithreads efficaces. Un support natif de NVMe est disponible sous Windows 8.1 ou sous Linux (et Windows 7 via Hotfix ), mais Intel fournit également son propre pilote pour Windows.

Côté tarif il faut compter 389$ pour le modèle 400 Go et 1029$ pour la version 1.2 To pour accéder aujourd'hui à cet avant-goût de ce que seront les SSD "classiques" dans quelques années. A quand une version 800 Go ?