Métal sur silicium pour Intel

Intel vient d’identifier une combinaison de matériau améliorant les performances des transistors actuels. Actuellement, la grille, dont l’état électrique définit la position du transistor (ouvert ou fermé) est faite de polysilicium, alors que l'isolant de grille est composé de dioxyde de silicium.

Seul problème, avec l’abaissement de la finesse de gravure on atteint à l’heure actuelle une épaisseur de l’ordre de 5 atomes pour cet isolant, ce qui le rend bien moins efficace et entraîne donc des pertes (surconsommation, surchauffe) ... d’où la nécessité de changer de matériau afin d'éviter le passage d'eléctrons vers la grille. Intel a donc opté pour un matériau à grande permitivité diélectrique, qu’il faut combiner pour des raisons de compatibilité à une nouvelle grille métallique.

Cette technologie, associée à d’autres innovations, devrait permettre au géant de Santa Clara de continuer la diminution de la finesse de gravure. Intel compte d’ailleurs introduire ce nouveau type de transistor en 2007 avec sa technologie 0.045µ. Il est à noter que d’autres acteurs, et notamment AMD, travaillent sur des transistors utilisant ce type de matériaux.