Intel et le 0.09µ

Publié le 13/08/2002 à 12:05 par
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Intel vient de faire une annonce technologique concernant sa technologie de gravure en 0.09 Micron. Cette technologie devrait utiliser des transitors longs de 50nm, contre 60nm pour ceux fabriqués en 0.13µ chez Intel. Le 0.09µ Intel utilisera bien entendu des interconnections en cuivre combinées à un matériau de type low-k dielectric afin de réduire les interférences entre les circuits qui peuvent entraîner une baisse de performances et une dissipation de puissance.

Pour rappel, en février dernier Intel avait produit la plus petite cellule mémoire de SDRAM. Fabriquée avec ce process en 0.09µ, elle mesurait 1 micron² si bien qu'une puce de 109mm² contenant 6.5 Mo de SRAM avec 330 Millions de transistors avait pu être conçue.

Le processus de fabrication en 0.09µ devrait poursuivre sa montée en puissance dans l'usine de développement D1C située en Oregon, avant d'être transféré dans trois autres usines travaillant sur des wafer de 300mm en 2003. La première puce destinée au commerce fabriquée par Intel avec cette technologie sera bien entendu le Prescott, prochain processeur basé sur l'architecture NetBurst et qui est prévu pour le second semestre 2003.

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