Transistor TeraHertz

Tel est le doux nom du nouveau transistor mis au point par Intel.
Bien plus qu'une avancée en vitesse, Intel a employé ici deux technologies totalement révolutionaires qui permettront de produire des transistors fonctionnant à 1 THz.

La première d'entre elle est le "Depleted substrate transistor" est une sorte de SOI (Silicon-On-Insulator) avancé. Concurrente de la technologie d'IBM, elle est aussi plus avancée et permet ainsi des pertes energétiques moindres via l'utilisation de contacts à résistance très basse.

La deuxième de ces technologies est le "high k gate dielectric" qui est en fait un matériau qui vient remplacer le dioxyde de silicium utilisé jusqu'alors. Il faut dire qu'avec des ponts de moins de 0.8 nm, les effets de bord commencent à poser problème. Ainsi, le "high k gate dielectric" permet de diminuer 10 000 fois les pertes par rapport au dioxyde de silicium.

Alors que chaque jour les scientifiques crient à la fin de la Loi De Moore, Intel, IBM et d'autres en repoussent à chaque fois la mort et on peut aujourd'hui affirmer qu'elle nous suivra jusqu'en 2005, date ou ces technologies seront introduites... au moins.