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IDF: La DDR4 se montre

Tags : DDR4; IDF 2013; Intel;
Publié le 13/09/2013 à 03:40 par
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Alors que les Ivy Bridge-E ont été lancés un peu plus tôt dans la semaine, on pouvait entrevoir dans les couloirs de l'IDF des plateformes Haswell-E qui ne sont pas attendues avant la fin de l'année 2014. Côté plateformes il s'agira pour le chipset du X99 comme nous vous l'indiquions un peu plus tôt dans l'année.


Plusieurs constructeurs montraient leurs barrettes de DDR4, nous en avons vus par exemple chez G.Skill, équipées de puces Micron. Un engineering sample fonctionnant en DDR4-2133.

15 Kits Quad Channel chez G.Skill

Tags : DDR3; G.Skill;
Publié le 12/09/2013 à 09:38 par
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G.Skill profite du lancement des Core i7 LGA 2011 Ivy Bridge-E pour lancer pas moins de 15 nouveaux kits DDR3 ! Les capacités sont de 16, 32 et 64 Go, avec dans le premier cas une vitesse maximale de DDR3-2933 et dans les deux autres DDR3-2666.


Pour une même fréquence G.Skill propose parfois deux niveaux de timings différents, ce qui explique la multiplication des versions, alors qu'à compter de la DDR3-2666 les kits sont fournis avec des ventilateurs afin de refroidir la mémoire. Les tarifs de ces kits n'ont pas été communiqué, mais le précédent kit de 64 Go DDR3-2400 10-12-12-31 @ 1.65V se trouve aux alentours de 700 €.

EVGA lance son boitier Hadron Air

Tag : EVGA;
Publié le 10/09/2013 à 09:35 par
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Début janvier, EVGA nous avait dévoilé lors du CES son intention de se lancer sur le marché du boitier. C'est désormais chose faite avec l'EVGA Hadron Air, un boitier destiné aux cartes mères mini-ITX qui mesure 169*305*308mm pour un poids de 6 Kg.


Il supporte les cartes graphiques double slot d'une longueur maximale de 267mm et les ventirads de 140mm de hauteur, intègre deux emplacements 3.5 ou 2.5" et un emplacement destiné à accueillir un lecteur slim Slot-In. Côté ventilation, on trouve deux ventilateurs de 120mm en extraction sur la partie supérieure. La façade intègre un bouton power alors qu'on trouve sur le côté deux ports USB 3.0, une entrée ligne et une sortie micro. Une des portes dispose d'une fenêtre.


Affiché au tarif de 190$, il a la particularité d'être livré avec une alimentation de format réduit. Offrant une puissance de 500 Watts, dont 480 disponibles sur le +12V, elle est refroidie par un petit ventilateur de 40mm qui devrait se faire entendre si il doit monter dans les tours. Heureusement, sa certification 80 PLUS Gold fait qu'il n'y aura pas trop de chaleur à dissiper.


Cette version Air n'est pas compatible avec les solutions de watercooling, ce qui sera le cas d'un futur EVGA Hadron Hydro dont EVGA a dévoilé les images qui suivent. Si le châssis est le même, la façade et la partie supérieure sont plus hautes, ce qui devrait permettre d'intégrer un imposant radiateur de watercooling !

Mémoire en hausse suite à un incendie chez SK Hynix

Publié le 06/09/2013 à 15:27 par
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Mercredi dernier, une usine de SK Hynix située à Wuxi en Chine a été victime d'un incendie qui n'a heureusement pas fait de victimes graves. Cette usine produit environ 40% de la mémoire de SK Hynix, qui est avec 30% de parts de marché sur le second trimestre le numéro 2 du secteur derrière Samsung (32,7%) et devant Micron / Elpida (28,1%).

 
SK Hynix a indiqué le jour même qu'il évaluait toujours l'étendue des dégâts, mais que les équipements de productions dans la salle blanche n'étaient pas touchés et qu'il s'attendait à reprendre la production dans un délai limité, sans impact sur la production globale. Il faut dire que les lignes de production de DRAM sont loin d'être surchargées et SK Hynix comme ses concurrents ont la possibilité d'augmenter, au moins temporairement, la cadence sur d'autres lignes de production.

Certaines sources sont toutefois moins optimistes sur la durée de l'arrêt de l'usine, parlant de un mois pour certains et six mois pour d'autres. Comme on pouvait s'y attendre, dès le lendemain le prix des puces mémoires a bondi, mais la hausse est restée contenue ce vendredi (+1-2%) ce qui tend à aller dans le sens d'une résolution rapide de la situation.

En attendant, il fallait compter 1,576$ et 3,143$ pour des puces de 256 et 512 Mo de DDR3-1600 en début de semaine, les prix sont passés à 1,941$ et 3,505$ cette fin de semaine soit 23,2 et 11,5% de hausse.

On revient en fait au plus haut de l'année atteint début juillet pour les puces 256 Mo, alors qu'on reste encore en dessous des 3,71$ d'alors pour les 512 Mo. Fin novembre 2012, les prix étaient au plus bas, respectivement à 0,82 et 2,01$.

L'Hybrid Memory Cube en production en 2014

Tags : HMC; Micron;
Publié le 04/09/2013 à 17:40 par
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Nous vous avions parlé en 2011 du concept de l'Hybrid Memory Cube. Sur le papier il s'agit d'un concept simple, superposer une couche logique de contrôleurs mémoires avec de multiples dies de mémoire DRAM reliés les uns aux autres par des TSV (Through Silicon Vias, littéralement des fils qui passent au travers des différents dies, à l'opposée de la solution "classique" ou l'on fait passer les fils par le côté).


Chaque colonne sur le schéma représente un "vault" qui dispose en bas dans la couche logique de son propre contrôleur mémoire indépendant. L'avantage du système est d'être capable d'atteindre des bandes passantes très élevées, on parlait déjà en 2011 de 128 Go/s sur une seule puce !


Sur cet autre schéma, on peut voir le principe un peu plus en détail avec une puce qui superpose neuf dies (8 mémoires, un logique). On retrouve ici 16 vaults, chaque contrôleur est relié à un switch puis à quatre liens point à point vers l'extérieur de la puce. Ces nombres étant bien entendu modulables. Notez également que les cubes sont chainables entre eux.

Micron et d'autres sociétés (notamment ARM, HP, Hynix, IBM et Samsung) se sont alliés pour mettre en place un consortium dans le but de développer un standard commun. On notera avec un étonnement certain l'absence d'Intel dans ce consortium, alors que la société avait pourtant effectué les démonstrations lors de l'IDF 2011. La spécification (PDF)  a été publiée en avril avec des débits très prometteurs allant de 160 à 240 Go/s pour les modèles à quatre liens (en fonction de la vitesse individuelle des liens), et 320 Go/s pour le modèle huit liens.

Micron avait indiqué en 2011 que c'est IBM qui produirait dans son process 32nm HKMG. Aujourd'hui, dans un communiqué  qui parle de l'intérêt de l'intégration avec des FPGA, Micron s'engage un peu plus sur les dates en annonçant la livraison d'échantillons avant la fin de l'année, et surtout une production en volume pour 2014. On ne sait pas s'il s'agira toujours d'un process 32 HKMG. En déportant les contrôleurs mémoires directement dans les puces mémoires, l'Hybrid Memory Cube propose en plus d'un bond net de bande passante la possibilité de repenser les sous systèmes mémoires des processeurs. Reste à voir dans quel cadre elle pourra être utilisée. Le consortium indique viser très clairement les CPU et les GPU. Auprès de ces puces, l'HMC jouerait alors un rôle hybride à mi chemin entre ce que propose l'eDRAM et la mémoire traditionnelle.

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