Actualités divers
Les 5 actualités précédentes
Corsair garantit sa compatibilité
Une énième PC3200 chez OCZ
Kodak au mieux de sa forme
DDR2-800 chez Elpida
Comparatif photo : 5 mégapixels
Alimentations 950, 900 et 850 Watts
On trouve depuis quelques jours au Japon des alimentations SNE au format ATX affichant des puissances de 950, 900 et 850 Watts. Comme d’habitude, il s’agit ici de la puissance pouvant être fournie en pointe, ces chiffres étant ramenées à 750, 700 et 650 Watts en utilisation continue, ce qui n’est déjà pas si mal.
Le principal intérêt de ces alimentations se situe au niveau de leurs lignes +12V, qui sont au nombre de 4 et qui sont annoncées pour un total de 60 Ampères (12A, 18A, 18A et 12A pour les +12V1, +12V2, +12V3 et +12V4) sur ces trois alimentations, les différences se situant au niveau des lignes +5V et +3.3V. Ces 4 lignes +12V sont réparties comme suit entre les différents connecteurs :
+12V1 : Connecteur 12V 8 pins, 12V 4 pins
+12V2 : Connecteur 12V 8 pins, 4 connecteurs SATA 5 points
+12V3 : Connecteur ATX 24 pins
+12V4 : 7 connecteurs Molex 4 points et 2 Floppy 4 points
Quel est l’intérêt d’une telle puissance sur une alimentation ATX non redondante ? A vrai dire, on cherche encore, car même une station de travail bi processeur extrêmement chargée n’a pas ces besoins, et les ours polaires espèrent que ce ne sera jamais le cas. Les prix ? 58980, 48980 et 43890 Yens, soit environ 432, 359 et 322 € H.T.
6 et 7 mégapixels dans un téléphone
Samsung avait fait fort en annonçant le premier photophone 5 mégapixels (voir cette news). Le site Telecoms Korea rapporte que LG s'apprête à frapper encore plus fort : ils devraient lancer deux modèles, un 6 et un 7 mégapixels, tous deux disponibles au cours du premier semestre 2005 (en Asie tout au moins).
Et de préciser que si Samsung s'est offert les services de Pentax pour son capteur 5 mégapixels, LG travaillerait pour sa part avec Canon.
FB-DIMM 1 Go chez Samsung
Samsung vient d’annoncer un module de 1 Go de DDR2 en FB-DIMM. La technologie FB-DIMM, pour Fully Buffered Dual In-Line Memory Module, est destinée à augmenter la densité des serveurs en mémoire. Pour se faire, on utilise un bus point à point et des signaux en série similaires à ceux utilisés en PCI Express, ce qui limite le nombre de pistes à utiliser.
Ainsi, pour 420 pistes, on pourra utiliser en FB-DIMM 6 canaux pouvant accueillir chacun 8 barrettes mémoire, pour un total de 48 barrettes, ce qui aura pour conséquences d’augmenter à la fois la taille mémoire et la bande passante mémoire par rapport aux solutions existantes. Samsung compte débuter la production en volume de cette FB-DIMM de 1 Go durant le 1er semestre 2005.
Production difficile de DDR2
Selon DigiTimes , les approvisionnements des OEMs en DDR2 seraient toujours difficiles du fait des problèmes de montée en puissance que connaissent les lignes de productions en 110nm des fabricants de mémoire. Les taux de rebuts seraient en effet encore trop importants, ce qui fait que la DDR2 reste nettement plus chère que la DDR. Sachant qu’en terme de performance, la DDR2 n’offre de toute façon pas de gains importants par rapport à la DDR en l’état actuel des choses, ceci n’a toutefois rien de dramatique en soit ...
La mémoire en baisse
Début Novembre, nous vous indiquions que les prix de la mémoire étaient repartis à la baisse, après une hausse de 16.7% de la mi septembre à début octobre. Cette baisse à perdurer courant Novembre, puisque l’on est passé de 4.48$ début Novembre pour une puce de 32 Mo de DDR400 à 4.02$, soit une baisse de 10.3%. On retrouve donc les prix les plus bas enregistrés pour ce type de puce : c’était il y’a un an, à la même période.
Les 5 actualités précédentes
