Actualités mémoires
Le point sur la DRAM
DDR-II & DDR-III
PC2400, 2700 et 3200 en 2002
La RDRAM en 2005
Puces de 512 Mo chez Samsung
Hynix dans le rouge
De la mémoire Leadtek
Vers une hausse de la mémoire ?
300 MHz en DDR chez Samsung
DDR 1, 2 et 3
Hynix dans le rouge
Hynix Semiconductor (ex Hyundai Electronics) vient d’annoncer ses résultats financier pour le second trimestre : 892 Millions de $ de chiffre d’affaire pour ... 985 Millions de $ de pertes ! A titre d’info, Hynix avait réalisé un C.A. de 1.35 Milliards de $ pour des pertes de 360 Millions de $ lors du premier trimestre. Selon le président d’Hynix, ces résultats catastrophiques sont à imputer au cours de la DRAM et des semiconducteurs en général.
Au passage, sachez qu’Hynix a officiellement annoncé la fermeture temporaire (6 mois) de son usine située à Eugène en Oregon. Les raisons de cette fermeture sont double : d’une part réduire la production de DRAM d’Hynix (cette usine représente 16% de la production totale et 50% de la production de puces de 8 Mo) et d’autre part upgrader l’usine pour passer de puces 8 Mo en 0.22 Micron à des puces 32 Mo en 0.16 Micron.
De la mémoire Leadtek
Digit-Life a publié des photos du dernier produit Leadtek ... une barrette de 128 Mo de SDRAM PC150. Equipée apparemment de puces à 6.6ns, cette barrette pourrait se placer au même niveau que les KingMax ou encore les Mushkin.


Vers une hausse de la mémoire ?
Depuis plusieurs jours, les annonces se succèdent en ce qui concerne les décisions de ralentissement de la production des fabricants de DRAM. Ainsi, NEC a annoncé récemment le licenciement de 700 employés dans son usine américaine, et considère de faire de même en Ecosse. De même, l’extension de l’usine située à Shanghai a été mise en suspend.
Dans le même genre, Hynix, qui a fusionné avec LG Semiconductor en 1999, devrait également baisser sa production de DRAM à partir de la fin Juillet. On parle d’une baisse de 20%, ce qui est assez important au niveau mondial étant donné que Hynix est l’un des plus gros fabricants de DRAM avec 13 usines. Pour finir, Hitachi et Fujitsu ont également décider de réduire leur production en ce qui concerne les mémoires Flash.
Voilà donc qui pourrait inverser la tendance actuelle de cours la mémoire !
300 MHz en DDR chez Samsung
En Mai dernier, Samsung annonçait être le premier fabricant de DRAM à avoir développé une puce de 8 Mo de DDR SDRAM fonctionnant à 300 MHz. Aujourd’hui, Samsung réitère avec de nouvelles puces de DDR SDRAM à 300 MHz. Mais cette fois ci, il ne s’agit plus de puces de 8 Mo mais de 16 Mo. Ces puces 3.3 ns, qui pourraient faire le bonheur d’une éventuelle GeForce3 Ultra, sont d’ores et déjà disponibles en sample. La production de masse est pour sa part prévue pour le troisième trimestre.
DDR 1, 2 et 3
Il est temps de faire un petit point sur la DDR. Comme vous le savez, actuellement il existe deux types de mémoire sur le marché : PC1600 et PC2100. Ces barrettes sont conformes à la norme DDR-I. Elles utilisent des DIMM 184 pins, sont alimentées en 2.5V et cadencées respectivement à 100 et 133 MHz. Il en résulte des bandes passantes respectives de 1.5 Go /s et 2 Go /s.
Deux nouveaux types de DDR-I prendront leur envol en 2002 : PC2400 et PC2700. Physiquement compatibles (184 pins, 2.5V), ces barrettes pourront fonctionner à des fréquences de 150 et 166 MHz. Les bandes passantes augmenteront donc logiquement pour atteindre 2.2 et 2.5 Go /s. Fin 2002, les constructeurs se pencheront ensuite sur l’ultime évolution de la DDR-I : la PC3200. Grâce à une fréquence de 200 MHz, la bande passante passera à 3 Go /s.
La DDR-II sera pour sa part incompatible avec la DDR-I. En effet, il est certain qu’elles fonctionneront en 1.8V, et fort probable que l’on passe à des DIMM 232 pin. Prévues pour 2003, ces nouvelles barrettes fonctionneront dans un premier temps à 200 et 266 MHz (PC3200 et PC4300), ce qui correspond à des bandes passantes de 3 et 4 Go /s. D’ici 2005, la DDR-II pourrait atteindre les 400 MHz, soit 6 Go /s.
Pour finir, c’est en 2004-2005 le JEDEC devrait se pencher sur la définition de la DDR-III.


