Actualités mémoires

SK Hynix va aussi lancer une HBM à 2.4 Gbps

Tags : HBM2; SK Hynix;
Publié le 19/01/2018 à 16:33 par
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Tout comme Samsung qui vient d'en annoncer la production, SK Hynix prépare de la HBM2 atteignant une vitesse de 2.4 Gbps soit 307 Go/s via son bus 1024-bit. Cette nouvelle version est attendue pour le premier trimestre 2018, tout comme une autre à 2.0 Gbps. Dans les deux cas il s'agit de puces 8 Go, des puces 4 Go étant attendues au second trimestre 2018.

La GDDR6 annoncée disponible chez SK Hynix

Tags : GDDR6; SK Hynix;
Publié le 19/01/2018 à 16:20 par
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Alors que Samsung vient d'annoncer le lancement de la production en volume de sa GDDR6, la dernière version du catalogue mémoire de SK Hynix indique que sa GDDR6 est désormais disponible même s'il faut bien dire que le constructeur a tendance à être optimiste sur ce genre de document.

Il s'agit cette fois non pas de puces de 2 mais 1 Go, avec des vitesses de 10, 12 ou 14 Gbps là ou Samsung annonce 18 Gbps. Les 10 Gbps sont atteint en 1.25V et les 14 Gbps en 1.35V, les 12 Gbps étant disponibles dans les deux versions.

Les puces SK Hynix permettront de faire des cartes graphiques en GDDR6 256-bit avec 8 Go de mémoire alors qu'avec les puces 2 Go Samsung on est à 16 Go. Le gain en vitesse est par contre mesuré par rapport à la GDDR5X Micron qui atteint à ce jour 12 Gbps, on est donc que 16,7% au-dessus chez SK Hynix.

Samsung atteint 2.4 Gbps en HBM2

Tags : HBM2; Samsung;
Publié le 15/01/2018 à 09:28 par
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Samsung annonce le début de la production en volume d'une puce HBM2 de 8 Go fonctionnant à 2.4 Gbps et atteignant donc une bande passante de 307 Go/s via son bus 1024-bit ! Ce débit est atteint avec une tension de 1.2v, alors que la première génération de HBM2 nécessitait 1.35V à 2.0 Gbps.

Jusqu'alors on était au mieux à 2.0 Gbps, ce qui correspond d'ailleurs au maximum définit par la norme JEDEC HBM2, et en pratique AMD se contente de faire fonctionner la HBM2 à 1.9 Gbps et Nvidia à 1.75 Gbps.

Samsung grave de la DRAM en ''1ynm''

Tags : DDR4; Samsung;
Publié le 22/12/2017 à 16:09 par / source: Samsung
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Samsung vient d'annoncer avoir débuté la production en volume de sa seconde génération de DRAM de "classe 10nm". Cette puce de 1 Go de DDR4 est annoncée comme pouvant atteindre les DDR4-3600 là où la précédente se limitait au mode DDR4-3200.

On ne connait pas la finesse de gravure exacte, mais alors que la première génération annoncée en avril 2016 était de type 1xnm Samsung fait mention cette fois de 1ynm. Il est communément admis dans l'industrie que 1xnm fait référence à quelque chose entre 16 et 19nm, et 1ynm entre 14 et 16nm. Suit ensuite 1znm pour 12 à 14nm.

Cette première DRAM 1ynm devrait permettre d'augmenter les capacités de production en 2018, ce qui n'est pas un luxe vu le marché très tendu que nous avons connu en 2017 et qui a entrainé une forte hausse des tarifs mémoire !

Le prix de la RAM pousse les ventes de Samsung

Publié le 24/11/2017 à 17:14 par
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Comme nous vous l'indiquons régulièrement, les prix de la RAM n'ont cessé d'augmenter ces derniers mois. En septembre dernier, on pointait un doublement du prix en un an. Depuis les choses ne se sont pas arrangées avec une hausse en octobre, et encore en novembre.

Par rapport à notre relevé de septembre, les puces DDR4-2133 de 512 et 1Go ont augmenté 27.1 et 25% respectivement, atteignant aujourd'hui 4.795 et 9.595$. La DDR3 de son côté suit le mouvement, restant 10% moins chère sur les puces 512 Mo, un écart semblable a ceux que l'on a pu constater ces derniers mois.

Au delà des conséquences très concrètes sur le prix des barrettes mémoires pour les utilisateurs de PC (en se rappelant qu'aujourd'hui, le PC compte pour une part limitée de la demande mondiale de mémoire), ces écarts favorisent largement les vendeurs de mémoire et de NAND comme Samsung qui, selon IC Insights  devrait prendre la tête du classement des ventes de semi conducteurs pour l'année 2017, une place historiquement réservée à Intel !


Le classement d'IC Insights se base sur les ventes de semi conducteurs des sociétés en excluant les fabs comme TSMC et GlobalFoundries.

Ces chiffres sont préliminaires, l'année n'étant pas terminée, mais sur 2017, l'ensemble du marché des semi-conducteurs devrait progresser assez fortement, d'environ 20% par rapport à 2016.

Ce sont les acteurs de la RAM/NAND qui sont principalement derrière ces gains, et pas qu'un peu puisque l'on note des progressions de ventes de 48% pour Samsung, 75.8% pour SK Hynix et 73% pour Micron ! Ces deux dernières passent pour l'occasion devant Broadcom et Qualcomm. On notera enfin que Nvidia devrait rentrer dans le top 10 cette année au dépend de MediaTek.

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