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Le prix de la RAM pousse les ventes de Samsung
Samsung 1er du SSD avec 1/3 du marché
3D NAND 48 couches chez Toshiba
Résultats Micron, pour quand la baisse de la DDR3 ?
Hybrid Memory Cube Gen2 en développement
Le prix de la RAM pousse les ventes de Samsung
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Comme nous vous l'indiquons régulièrement, les prix de la RAM n'ont cessé d'augmenter ces derniers mois. En septembre dernier, on pointait un doublement du prix en un an. Depuis les choses ne se sont pas arrangées avec une hausse en octobre, et encore en novembre.
Par rapport à notre relevé de septembre, les puces DDR4-2133 de 512 et 1Go ont augmenté 27.1 et 25% respectivement, atteignant aujourd'hui 4.795 et 9.595$. La DDR3 de son côté suit le mouvement, restant 10% moins chère sur les puces 512 Mo, un écart semblable a ceux que l'on a pu constater ces derniers mois.
Au delà des conséquences très concrètes sur le prix des barrettes mémoires pour les utilisateurs de PC (en se rappelant qu'aujourd'hui, le PC compte pour une part limitée de la demande mondiale de mémoire), ces écarts favorisent largement les vendeurs de mémoire et de NAND comme Samsung qui, selon IC Insights devrait prendre la tête du classement des ventes de semi conducteurs pour l'année 2017, une place historiquement réservée à Intel !
Le classement d'IC Insights se base sur les ventes de semi conducteurs des sociétés en excluant les fabs comme TSMC et GlobalFoundries.
Ces chiffres sont préliminaires, l'année n'étant pas terminée, mais sur 2017, l'ensemble du marché des semi-conducteurs devrait progresser assez fortement, d'environ 20% par rapport à 2016.
Ce sont les acteurs de la RAM/NAND qui sont principalement derrière ces gains, et pas qu'un peu puisque l'on note des progressions de ventes de 48% pour Samsung, 75.8% pour SK Hynix et 73% pour Micron ! Ces deux dernières passent pour l'occasion devant Broadcom et Qualcomm. On notera enfin que Nvidia devrait rentrer dans le top 10 cette année au dépend de MediaTek.
Samsung 1er du SSD avec 1/3 du marché
Selon les estimations du cabinet IHS publiées par ZD Net , Samsung est resté de loin le numéro un du SSD en 2014 avec 34% du marché mondial. Il est suivi par Intel et Sandisk qui se partagent chacun 17%, puis de Micron à 8%, Toshiba à 7%, Lite-On à 6%, WDC à 5%, Kingston à 3% et Seagate et SK Hynix à 1% chacun.
Nous ne disposons pas des estimations d'IHS pour les années précédentes, mais selon un autre institut (Gartner) le géant coréen était à 28,5% en 2013 contre 23,2% en 2012. Intel serait également en progression si un compare ces données après une baisse de 14,7% en 2012 à 13,1% en 2013 alors que Sandisk poursuit une croissance forte puisqu'il était à 5% en 2012 et 11,7% en 2013. Micron était pour sa part à 3,3% en 2012 et 6,9% en 2013, contre 9,2% et 5,6% pour Toshiba.
3D NAND 48 couches chez Toshiba
Toshiba vient d'annoncer avoir produit des puces mémoires flash (NAND) à construction verticale (souvent appelée 3D NAND) à 48 couches. Pour rappel, en 2007 Toshiba avait été le premier à produire une technologie de mémoire ou l'organisation des cellules se fait non plus de manière horizontale comme traditionnellement, mais cette fois ci de manière verticale.
La mémoire NAND traditionnelle au milieu en haut peut être empilée (Stack), la stratégie classique que l'on voit à droite, ou bien transposée verticalement (le chemin de gauche) pour réaliser une structure appelée BiCS par Toshiba qui peut être vue comme le pendant du FinFET pour la NAND
En 2007, Toshiba ne précisait pas le nombre de couches qu'il avait réussi à superposer dans sa structure mais évoquait dans son communiqué de presse le nombre de 32 pour expliquer les difficultés de l'empilement. Presque huit années après, le constructeur indique aujourd'hui avoir produit des puces 48 couches de 128 Gbits (16 Go) qui sont disponibles dès aujourd'hui sous la forme d'échantillons.
Toshiba indique également qu'il commercialisera cette mémoire à partir de 2016, elle sera fabriquée en volume dans la nouvelle Fab2 située à Yokkaichi au Japon. En 2014, Toshiba avait annoncé remplacer cette ancienne usine par une nouvelle qui serait capable de produire de la mémoire NAND classique et « 3D » à compter de 2016. Le communiqué de la marque indique que la Fab2 devrait être opérationnelle durant la première moitié de 2016.
Cette structure de mémoire permet théoriquement d'augmenter fortement la densité même si pour l'instant, il faut se contenter de puces 128 Gbits pour ce premier échantillon. On rappellera que si Toshiba a été pionnier de cette technologie, Samsung avait été le premier à lancer la production de sa propre version de mémoire NAND verticale, baptisée V-NAND en 2013. Si l'agencement technique semblait légèrement différent du BiCS de Toshiba (voir notre article), le principe de base reste le même.
Cette V-NAND s'est ainsi retrouvée dans les SSD 850 Pro du constructeur sous la forme de puces empilant 32 couches. De son côté, si Toshiba met en avant l'empilement de 48 couches, on ne connait pas encore la finesse de gravure qui sera utilisée. Plus de détails seront probablement dévoilés d'ici à l'année prochaine. Pour le reste de la concurrence, Intel et Micron devraient proposer leur version 3D NAND 32 couches au second semestre 2015, tandis qu'il faudra attendre 2016 pour Hynix.
Résultats Micron, pour quand la baisse de la DDR3 ?
Micron a présenté ses résultats pour son dernier trimestre fiscal qui prenait fin le 27 février dernier, l'occasion de faire le point sur le marché de la mémoire en général. Pour ce trimestre, Micron a réalisé 4,107 milliards de $ de ventes avec une marge opérationnelle à 34,2% et un bénéfice net de 731 millions de $. Un an auparavant, les ventes étaient de 2,078 milliards seulement avec une marge de 17,6% et une perte nette de 286 millions de $.
Du côté de la DRAM la marge brute est dans l'intervalle 35-40%, en hausse de 5 points par rapport au trimestre précédent, Micron profitant de la montée des prix depuis l'incendie de l'usine de SK Hynix de Wuxi début septembre. Cette usine est désormais de nouveau opérationnelle mais les prix restent élevés, il faut par exemple compter 3,656$ pour une puce DDR3-1600 de 512 Mo contre 3,143$ début septembre mais 4,268$ au plus fort de la hausse.
Micron explique cette situation par des stocks qui restent faibles chez les OEM et fournisseurs et une baisse de la production par ailleurs, avec par exemple chez Micron un passage des lignes de production de Singapour de la DRAM vers la NAND. Micron semble confiant dans l'avenir avec notamment cette phrase :
Our outlook for memory industry conditions remains favorable. We believe the current industry structure is fundamentally changed and we can now manage our business focused on return based capital and supply decisions which was not always possible in the past.On peut clairement en déduire que les niveaux de marges des années passées sur la mémoire, parfois il est vrai trop faibles, font pour Micron partie du passé à ce jour et qu'il est désormais possible pour la société de se concentrer sur son retour sur investissement du fait de la "structure" de l'industrie – il est a priori question ici de la concentration du marché DRAM dont 90% de la production est entre les mains de Micron - qui a racheté Elpida - SK Hynix et Samsung.
Pour les 5 années à venir, Micron estime que la production de DRAM devrait être stable en termes de wafer, avec une hausse de 20 à 30% par an du volume de bit du fait de l'amélioration des procédés de fabrication. Pour la NAND Micron prévoit une hausse de 35 à 45% par an sur la même période, avec une hausse plus importante sur 2014 et 2015 (40-45%).
Sur le dernier trimestre Micron a augmenté de 35% ses ventes de NAND, avec une hausse de 35% en unités compensées par une baisse de 18% des prix de vente moyen. Contrairement à la DRAM, la marge brute est en baisse de 5 points sur ce marché et s'établie entre 25 et 30%, sans plus de précisions. La baisse de la marge est donc contenue par rapport à la baisse de prix du fait d'une réduction du coût par bit produit du fait de la hausse de la part du 20nm ainsi que de réduction de coûts liés à l'augmentation de la production de NAND à Singapour.
Hybrid Memory Cube Gen2 en développement
L'Hybrid Memory Cube Consortium (fondé par Micron et Samsung en 2011, rejoint ensuite par Hynix et 120 sociétés donc ARM, IBM, Microsoft et Xilinx) vient de publier un communiqué indiquant le développement d'une seconde génération de cette mémoire. Pour rappel, le concept de l'HMC est de superposer plusieurs dies de mémoire DRAM par-dessus une die de logique, le tout étant relié par des TSV (Through Silicon Vias, des fils qui traversent les dies).
Nous avions parlé un peu plus en détail de la première version de cette spécification en septembre dernier, nous vous renvoyons vers cet article si vous souhaitez plus de détails.
La nouvelle spécification est encore au statut de « draft » (en préversion) et n'a été pour l'instant partagé qu'avec les membres du consortium dans le but d'être finalisé en mai 2014. La nouvelle version de la spec évoque des augmentations de bande passante, en doublant à 480 Go/s la bande passante totale des puces pour le modèle 4 liens, et 480 Go/s également pour le modèle huit liens (contre 320 dans la spec version 1.0).
Si Samsung et Hynix sont impliqués dans le développement du standard, Micron reste pour l'instant le seul constructeur à avoir produit des échantillons commerciaux.
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