DDR3 en 42nm chez Micron et Nanya

Tout comme pour les CPU, la maitrise des finesses de gravure est un élément critique pour les fabricants de mémoire. Augmenter le nombre de puces gravées par wafer (et donc baisser les coûts), diminuer la consommation et augmenter les fréquences sont les principaux enjeux de cette course à la finesse.

Micron et Nanya ont annoncés cette semaine avoir co-développés un nouveau procédé de production, leur ayant permit de créer des puces de 256 Mo de DDR3 gravée en 42nm.

Cette DDR3 42nm fonctionne nativement en 1,35v, alors que le standard JEDEC est de 1,5v pour ce type de mémoire. Au mieux, cette mémoire peut atteindre le mode DDR3-1866, et la densité maximale est annoncée à 2 Go par puce. La production de masse devrait débuter dans la seconde moitié de l'année, Micron et Nanya travaillant pendant ce temps sur la gravure en 3x nanomètres.

Micron dispose d'une avance technique confortable sur la NAND grâce à son association avec Intel, et son association avec Nanya devrait permettre aux deux fabricants de commencer à combler leur retard sur Samsung sur la DRAM.