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Le partenaire d'Intel sur la mémoire 3D XPoint était présent sur l'IDF avec un stand ou l'on pouvait apercevoir un wafer de NAND 16nm, ainsi qu'un module 3D NAND de 256 Gbits.

La société a également effectué une présentation ou elle a évoqué ses technologies mémoires. Le constructeur continue de travailler sur l'Hybrid Memory Cube (HMC), une technologie qui supperpose des dies de mémoires avec une couche de contrôleurs logiques. La troisième génération est en cours de développement même si l'on ne sait pas encore ce qu'elle apportera.

Micron est également revenu sur la complexité de la fabrication de la mémoire DRAM a 20nm et au dela. L'augmentation des coûts via les masques et les opérations rend de plus en plus difficile chaque passage à un nouveau node. Malgré tout le fabricant s'est felicité de ses yields atteint en 20nm et a indiqué travailler sur le 15nm et au delà.


Côté NAND, Micron a confirmé que le 16nm serait son dernier node « traditionnel » et qu'il passait au delà à une gamme 100% 3D NAND. Cette variante de la NAND permet pour rappel de construire les cellules verticalement pour les empiler en augmentant la densité. Un avantage important qui permet d'utiliser des process plus anciens, et mieux maitrisés, autour de 50nm pour la première génération de Micron. La seconde génération de 3D NAND apparaitra en 2016.

3D XPoint a été peu évoqué, si ce n'est sur le fait qu'il y aura une seconde génération de cette mémoire en 2016. On notera que Micron parle toujours sur ses roadmaps d'une seconde nouvelle mémoire qui arriverait en 2017. Une variante de STTRAM (Spin Transfer Torque RAM) semble être l'une des possibilités, il faudra attendre un peu avant d'en savoir plus !

Pour le second jour de l'IDF, Intel nous a donné quelques petits détails en plus sur Optane/3D XPoint. Lors d'une session dédiée aux serveurs, quelques chiffres ont été donnés concernant la version DIMM de la mémoire Optane/3D XPoint.

Coté coût, Intel avait toujours indiqué qu'il se situerait entre celui de la mémoire NAND et celui de la DRAM. En pratique Diane Bryant a indiqué qu'a capacité égale, le prix des DIMM pourrait être inférieur de moitié à celui de la mémoire DDR4. Côté capacité on pourra atteindre 4x la densité, ce qui est relativement flou étant donné qu'on ne sait pas s'il s'agit d'une comparaison avec de la mémoire registered ou classique. En pratique on se souvient qu'Intel a annoncé que ses premières puces 3D XPoint seront des puces de 128 Gbits. Avec huit puces on peut imaginer des DIMM de 128 Go, et de 256 Go avec 16 puces.

Lors d'une session dédiée à la mémoire, nous avons également continué d'entendre le message par lequel la DDR4 Optane rentrera bel et bien dans des slots DDR4 classiques, mais il ne s'agira pas d'une gestion pleinement transparente.

Officiellement Intel indique que cette mémoire DIMM Optane sera dédiée spécifiquement à sa plateforme Skylake serveur, et il semble que le contrôleur mémoire intégré dans Skylake disposera d'un mode de fonctionnement spécifique pour la DIMM Optane même si nous n'avons pas pu obtenir plus de détails techniques. Il nous a été répété à nouveau qu'il sera possible de mixer sur les canaux mémoires des DIMM Optane et DDR4 malgré tout, et qu'il pourrait être nécessaire d'avoir de la mémoire DDR4 classique pour démarrer le système (la mémoire Optane étant alors gérée comme un second niveau de mémoire).

Dans tout les cas, il nous a été confirmé sans la moindre équivoque que ces DIMM Optane « DDR4 » ne fonctionneront pas sur d'autres plateformes, y compris les plateformes Skylake desktop actuelles.

Le premier Keynote de cet IDF était l'occasion d'assez peu d'annonces concrètes même si certaines étaient intéressantes. Brian Krzanich n'aura pas parlé du tout des architectures à venir ou du retard du 10nm, préférant évoquer de grandes idées, parfois un peu vagues. Peut être pour ne pas parler des choses qui fâchent !

On passera donc rapidement sur les différentes initiatives logicielles et les divers partenariats mis en avant. On retiendra surtout qu'Intel continue de pousser fortement derrière sa technologie de caméras 3D RealSense avec des SDK pour a peu près tous les OS (y compris pour les systèmes dédiés à la robotique et aux IoT), et que de nouveaux constructeurs vont proposer des caméras 3D comme par exemple Razer dont un modèle était montré.

On notera également l'arrivée de nouveaux SDK pour Curie , l'implémentation du SoC Quark qui avait déjà été présenté lors du CES et qui vise le marché des wearables.


Le constructeur annonçait également des partenariats pour EPID, Enhanced Privacy ID, une technologie d'identification poussée depuis quelques années par Intel (voir ce PDF de 2011 ) et pour laquelle la société annonçait deux partenariats avec des vendeurs de microcontroleurs IoT (Atmel et Microchip). Une des idées présentée derrière EPID était d'utiliser des bracelets connectés intelligents (qui reconnaissent leur porteur) pour effectuer l'identification et remplacer les mots de passe dans le cadre de l'entreprise.


La vraie annonce concernait Optane, le nom commercial qu'Intel utilisera pour la mémoire 3D XPoint qui avait été présentée brièvement fin juillet. Il s'agira du nom de la marque qui regroupera la mémoire 3D XPoint avec le contrôleur et les firmwares dédiés. Au delà de l'annonce du nom, le constructeur a fait une démo rapide d'un early prototype de SSD Optane connecté en PCI Express (le constructeur n'a pas dit sur combien de lignes il était connecté) comparé à un SSD DC P3700.


Plusieurs tests de performances ont été montrés, réalisés sous IOMeter, montrant un avantage de 5 à 8x « pratique » selon les charges (70/30 lecture/ecriture, et lecture en QD 1 à 8) par rapport au SSD DC P3700. Pour ce qui est des détails techniques, nous n'en aurons pas eu durant le keynote. Nous avons tout juste obtenu la confirmation qu'Intel proposera des disques au format « SSD » mais également sous la forme de DIMM DDR4. Des DIMM qui seraient utilisables sur une future plateforme serveur Intel non annoncée ou elle pourrait même cohabiter avec des DIMM de DRAM classiques (on ne sait pas de quelle manière). Il faudra attendre l'année prochaine pour avoir plus de détails !