Infineon et Micron pour la RLDRAM

Infineon et Micron viennent d'annoncer un accord sur le développement futur de RLDRAM (Reduced Latency DRAM). Ce nouveau type de mémoire semble très intéressant sur le papier, puisqu'il allie une bande passante élevée (600 Mbits / pin / seconde) à un temps de latence très bas : 22.9 ns, contre 43.5 ns pour la PC133. Reste qu'on est pas près de voir ce type de DRAM arriver sur le marché, puisque les premiers samples sont prévus pour le troisième trimestre 2001 et que la production en volume est prévue pour le début 2002.