Flash toggle DDR 2.0 chez Samsung

Samsung est le premier à annoncer la production d’une mémoire Flash de 8 Go utilisant l’interface toggle DDR 2.0. Cette interface permet d’atteindre une vitesse de 400 MT/s, contre 133 MT/s pour la toggle DDR 1.0 introduite par Samsung en 2009 et également supportée par Toshiba, et 40 MT/s pour la Flash classique.

A titre de comparaison l’interface concurrente ONFI 2.x, supportée par Hynix et IMFT permettait d’atteindre les 200 MT/s et la prochaine version 3.0 est également à 400 MT/s. A terme les deux interfaces devraient être compatibles, les deux groupes collaborant au sein du JEDEC à leur standardisation.

Avec une simple puce interfacée avec un bus de 8 bits, il sera donc possible d’atteindre les 400 Mo /s, pour peu bien entendu que la mémoire en elle-même suive ce qui risque d’être difficile dans un premier temps. A terme cela permettra de concevoir des supports de stockage à base de mémoire Flash performants sans pour autant multiplier le nombre de canaux comme c’est le cas sur les SSD, pour peu bien entendu que la capacité des puces soit suffisante. Samsung indique que sa puce est gravée avec un process de "classe 20nm", sans préciser la finesse de gravure exacte (20 ? 25 ? 29 ?).