DDR3 en 30nm chez Samsung
Publié le 01/02/2010 à 11:19 par Marc Prieur
Après avoir annoncé en juillet dernier la production de DDR3 en 40nm, Samsung indique qu’il a finit de concevoir une puce 256 Mo de DDR3 gravée en 30nm. Ces puces fonctionnent en 1.5 ou 1.35V et leur gravure permet d’accroitre la productivité de 60% par rapport au 40nm. La production en volume est annoncée pour le second semestre 2010.
Flash NAND MLC 25nm pour Intel et Micron
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