Puce DDR3 512 Mo Samsung

Après avoir annoncé en septembre dernier ses premières puces DDR3 256 Mo (2 Gbits), Samsung indique désormais avoir atteint les 512 Mo (4 Gbits). Toujours gravées en 50nm, ces puces peuvent atteindre le mode DDR3-1600 et fonctionnent en 1.35v au lieu des 1.5v par défaut de la DDR3. Une telle capacité permet de produire des barrettes de 16 Go pour les serveurs (registered) mais également de 8 Go en version classique (unbuffered).

Samsung précise que selon IDC, la DDR3 devrait compter pour 29% du marché de la DRAM en 2009 et 75% en 2011. Parmi les puces de DDR3, les densités de 256 Mo et plus devraient représenter 3% des ventes en 2009 et 33% en 2011.