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La commission européenne vient d’infliger une amende de 331 millions d’euros aux fabricants de mémoire qui se sont entendus sur les prix entre 1998 et 2002. Samsung écope d’une amende de 145,7 millions, contre 56,7 millions pour Infineon, 51,4 Millions pour Hynix, 20,4 millions pour Hitachi, 17,6 millions pour Toshiba, 16,6 millions pour Mitsubishi et 1,8 millions pour Nanya. Les joint-ventures Elpida-Nec-Hitachi et Nec-Hitachi devront également verser 8,5 et 2,1 millions d’euros.

Micron était également partie prenante au sein de ce cartel mais bénéficie d’une immunité pour avoir révélé l’existence de cette entente en 2002. Du fait de leur coopération durant l’enquête, Infineon et Hynix ont bénéficiés de réductions de 45% et 27% de leur amende, contre 18% pour Samsung, Elpida et NEC. Hitachi, Toshiba, Mitsubishi et Nanya se "contentent" pour leur part des 10% supplémentaires accordés à l’ensemble des acteurs pour avoir conclu un accord avec la commission.

G.Skill et de DDR3-2500 peuvent se rhabiller, Corsair venant de reprendre les devants dans la futile mais suivie course à la DDR3 la plus rapide. Le constructeur vient en effet d’annoncer la Dominator GTX4, qui est certifiée pour un fonctionnement en DDR3-2533 (soit un peu plus de 1% de mieux …) en 9-11-10-30 à 1.65v. G.Skill pourra donc toujours dire que sa DDR3-2500 est en 9-11-9-28.

ViewSonic annonce le VX2739wm, un écran 27" LCD 1920x1080 affichant un temps de réponse de seulement 1ms ! Si ce temps de réponse est impressionnant, il conviendra bien entendu de vérifier en pratique s’il est réellement plus rapide que les écrans 2ms actuellement sur le marché.

G.Skill annonce la sortie de barrettes DDR3-2000 à destination de la plate-forme AM3. Validées sur une carte mère ASUS M4A89TD PRO à base de 890FX, ces barrettes sont certifiées pour cette vitesse à une tension de 1.65V et des timings de 7-9-7-24. Ces barrettes font parties de la gamme FLARE qui comporte également des kits DDR3-1800 en 2x2 Go depuis peu et qui est donc désormais composée de la sorte :

- DDR-2000 4Go (2Gox2) CL7-9-7-24 1.65V
- DDR-1800 4Go (2Gox2) CL6-8-6-24 1.65V
- DDR-1800 4Go (2Gox2) CL6-8-6-24 1.65V
- DDR-1800 4Go (2Gox2) CL7-8-7-24 1.65V
- DDR-1800 4Go (2Gox2) CL8-8-8-24 1.65V
- DDR-1800 4Go (2Gox2) CL9-9-9-27 1.65V

Elpida vient d’annoncer qu’il avait terminé le développement de sa nouvelle puce DDR3-SDRAM. Gravée en 40nm, cette puce de 512 Mo pouvant atteindre le mode DDR3-1600 est capable de fonctionner en 1.5v mais aussi 1.35v. Une telle densité permet de fabriquer des barrettes DDR3 de 16 Go pour desktop, 32 Go pour serveurs et 8 Go pour portables.

Elpida indique qu’il échantillonnera ces puces au cours du second trimestre, pour une production en volume qui débutera au troisième trimestre. On notera que Samsung a déjà annoncé la production en volume de puces similaires il y a deux mois.