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Flash NAND MCL DDR pour Samsung
Divers Mémoires
Publié le Mardi 1er Décembre 2009 par Marc Prieur

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Samsung vient d’annoncer qu’il avait débuté la production en 30nm d’une puce 4 Go Flash NAND MLC ayant la particularité d’avoir une interface de type DDR. Cette puce arrive 8 mois après la première puce MLC 30nm de Samsung, bien que ces dernières aient encore des problèmes de performances qui font qu’elles ne sont pas utilisées sur les SSD. Selon Samsung, ces nouvelles NAND Flash MLC DDR offriraient un débit 3 fois supérieur aux puces SDR.



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