GlobalFoundries vient de publier un communiqué de presse  indiquant l'arrivée d'un nouveau process FD-SOI sur sa roadmap, le 12FDX. Il s'agira d'une troisième version de FD-SOI proposée par le fondeur, après un 28nm offert en partenariat avec STMicroElectronics, et un 22nm fabriqué dans l'usine de Dresde.

Ce 12nm FD-SOI sera lui aussi fabriqué dans l'usine de Dresde et visera principalement les applications mobiles et les usages basse consommation, à l'image du positionnement du 22FDX. Il sera également possible de l'utiliser pour des puces radio (RF).

GlobalFoundries décrit ce process comme équivalent à un 10 FinFET côté performances, avec une meilleure consommation et un cout inférieur au 16 FinFET actuel. La société estime qu'il proposera 15% de performances en plus et 50% de consommation en moins que les process FinFET 14/16 actuels.

Si l'on pourrait croire que ce 12FDX viendra combler le creux dans la roadmap FinFET de GlobalFoundries, qui passera pour rappel d'un 14nm sous licence Samsung directement à un 7nm développé en interne, en pratique il n'en sera rien. A l'image du 22FDX qui n'a été lancé que l'année dernière, le communiqué évoque 2019 pour les premiers tape-out (soit encore plus loin pour les volumes commerciaux).

A titre de comparaison, TSMC, Samsung et Intel devraient produire en volume le 10 FinFET l'année prochaine.