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ReRAM rapide chez Micron et Sony
Divers Mémoires
Publié le Mardi 18 Février 2014 par Guillaume Louel

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Micron et Sony ont profité de l'ISSCC pour annoncer  avoir produit un prototype de ReRAM (Resistive RAM) qui sur le papier semble particulièrement intéressant. Pour rappel, la ReRAM est un nouveau type de mémoire non-volatile, basée sur le Memristor d'Hewlett Packard qui permet en théorie de faire le lien en terme de coûts et de performances entre la mémoire classique (DRAM) et celle utilisée dans les SSD (NAND).


Côté caractéristiques, la puce de Micron/Sony est assez alléchante sur le papier. Fabriquée en 27nm, cette puce utilise une surface de 168mm2 et propose 16 Gbit de stockage - parmi les plus grosses annoncées jusqu'ici (Sandisk et Toshiba avaient annoncé l'année dernière une puce 32 Gbit). C'est en prime l'une des plus rapides avec des taux de transferts de 1 Go/s en lecture et 200 Mo/s en écriture et des latences très basses (2 et 10 microseconde).


Produire des puces ReRAM qui soient à la fois de large capacité et rapides était jusqu'ici un challenge, la plupart des puces rapides présentées jusqu'ici ayant une densité en Mbit plutôt qu'en Gbit. Micron et Sony n'ont pas donné de détails sur l'éventuelle arrivée de ces puces sur le marché, qui pourraient par exemple trouver leur place dans un premier temps comme cache dans un SSD pour améliorer les performances.

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