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Un nouvel acteur dans la Resistive RAM
Divers Mémoires
Publié le Mercredi 7 Août 2013 par Guillaume Louel

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Une startup a cherché (et réussi) à faire parler d'elle ces derniers jours en annonçant avoir développé  un prototype de Resistive RAM (ou RRAM). Cette technologie mémoire dérivée du Memristor, prédit en 1971 et implémenté par Hewlett Packard pour la première fois en 2008, est censée cumuler les avantages de la NAND et de la DRAM, à savoir l'aspect non volatile de la NAND (les données ne s'effacent pas quand la mémoire n'est plus alimentée, contrairement à la RAM) et la rapidité d'accès aléatoire de la DRAM.

Ce n'est bien entendu pas le premier prototype du genre puisque l'on se souvient par exemple que Elpida (avec Sharp), mais aussi Hewlett Packard (avec Hynix), Samsung ou Panasonic ont annoncé respectivement des prototypes, et même Rambus s'intéresse au sujet, tout comme divers instituts de recherche comme l'ITRI  ou l'IMEC .

Le communiqué avance de gros chiffres : 20x plus rapide en écriture, une consommation 20x inférieure, et 10x l'endurance pour la moitié de la surface comparé à la meilleure NAND disponible actuellement. Le tout illustré par ce schéma :


On ne manquera pas de relever plusieurs grossières approximations sur le schéma, si le chiffre de 140 Mo/s en écriture est tout à fait remarquable, dire que la meilleure NAND peut seulement écrire à 7 Mo/s est un large raccourci. De même le graphique fait le choix de comparer les performances en lecture en aléatoire (bit par bit) à la NAND, alors que cette dernière ne s'accède pas de la sorte. Crossbar ne donne pas de chiffre pour sa RRAM en accès séquentiels, se contentant d'un 17 Mo /s en aléatoire alors qu'en séquentiel une puce de NAND classique se situe autour de 100 Mo /s.

A noter que si Crossbar indique sur ce schéma que le mode aléatoire n'est pas applicable à la flash, ce n'est pas le cas de ce white paper (PDF) , ou est indiqué 0.04 Mo/s (sic) pour la NAND avec le commentaire "RRAM will provide faster NAND-like products". En fait comme la flash de type NOR, la RRAM a l'avantage de disposer d'un accès pleinement aléatoire (les cellules sont connectées en parallèle et accessibles individuellement, et non pas en série comme sur la NAND) ce qui permet d'exécuter directement un programme sans devoir le charger en DRAM. Certaines valeurs de ce white paper, qui date pourtant de cette année, ne correspondent pas à l'illustration. Il parlait de 20 ans pour la rétention (contre 10 pour ce qu'on pense être la version finale) et de 1 million de cycles d'écriture (contre 10000 à 1 milliard, un grand écart, pour la version finale) ce qui laisse penser que le prototype ne se comporte peut être pas aussi bien qu'espéré.

Vous noterez enfin que le nombre de cycles d'écritures accordés à la NAND, de 500 à 1000 est particulièrement faible. 3000 cycles serait un peu plus réaliste.

Au-delà de tout ce méli-mélo de marketing, et dans l'absence de vraies données techniques (on ne sait pas par exemple en quel finesse de gravure a été produit le prototype, une des difficultés de la RRAM étant d'utiliser les finesses de gravures les plus faibles) difficile de juger ce qu'a réellement produit cette startup, probablement en recherche de capitaux ou d'un rachat. On suivra avec attention d'éventuelles évolutions sur le sujet assez crucial, dans cette startup ou dans d'autres acteurs du marché.

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