 |
| |
| Tri-Gate/FinFET : TSMC et Global Foundries Processeurs Publié le Vendredi 6 Mai 2011 par Guillaume Louel URL: /news/11492/tri-gate-finfet-tsmc-global-foundries.html Sur son blog, notre confrère d'Electronics Weekly revient sur la position de TSMC et GlobalFoundries suite à l'annonce par Intel de son introduction pour le procédé de photolithographie en 22nm de transistors Tri-Gate/FinFET.  A gauche un transistor planaire classique, à droite un transistor Tri-Gate/FinFET L’auteur rappelle que TSMC avait annoncé en 2010 avoir développé un process 22/20nm FinFET, mais dans une optique pure de développement. TSMC avait indiqué à l’époque que la transition sur les process en production s’opérerait au-delà (16/14nm). TSMC confirme aujourd’hui que la transition attendra comme prévu le 16/14nm, blâmant l’immaturité des outils. Global Foundries de son côté (en concert avec la Common Platform alliance) confirme ne pas voir de nécessité aux FinFET avant d’arriver au-delà du 22/20nm. Intel disposera donc bien de l’avantage des FinFET pour au moins un node complet par rapport au reste de l’industrie. Reste à voir si le pari d’Intel - qui semble payant sur le papier en termes de performances – ne souffrira pas de l’immaturité de l’écosystème environnant sur le plan des volumes de production. Copyright © 1997-2025 HardWare.fr. Tous droits réservés. |