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Hynix et Toshiba s'associent pour la MRAM

Tags : MRAM; SK Hynix; Toshiba;
Publié le 13/07/2011 à 09:27 par Marc Prieur
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Le sud-coréen Hynix et le japonais Toshiba viennent d'annoncer leur collaboration pour le développement de la MRAM. Une fois le développement terminé, les deux compagnies entendent également coopérer au sein d'une joint-venture pour la production de la dite mémoire. Hynix et Toshiba indiquent qu'ils ont également étendus leur accord de licence croisé et de sous-traitance.


Cette alliance est assez étonnante puisque Hynix et Samsung avaient annoncés en 2008 la création d'une joint-venture 100% sud-coréenne vouée au co-développement et la standardisation de la MRAM. Ce projet est semble-t-il tombé à l'eau, alors que l'accord Hynix – Toshiba intervient une semaine après la publication d'une nouvelle avancée de Toshiba dans le domaine de la MRAM.

Ce type d'alliance est assez habituel dans le secteur de la mémoire puisqu'il permet de réduire les risques liés au développement d'une nouvelle technologie et d'en accélérer la mise au point. Dans le domaine de la mémoire Flash NAND par exemple, Toshiba et SanDisk collaborent au sein de Flash Forward, alors qu'Intel et Micron sont regroupés sous IM Flash.

Nouvelle étape pour la MRAM !

Tags : MRAM; Toshiba;
Publié le 06/07/2011 à 17:12 par Marc Prieur / source: Tech-On!
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Après la PRAM, c'est autour d'une autre arlésienne, la MRAM, de franchir une étape significative dans son développement. Pour rappel, cette mémoire non volatile n'utilise pas une charge électrique pour stocker les bits contrairement à la DRAM, mais une charge magnétique, à l'instar les disques durs. Depuis ses débuts, elle est présentée comme la mémoire idéale, capable de remplacer la DRAM, la SRAM et la NAND.

La lecture des données utilise le principe de la magnétorésistance à effet de tunnel, en mesurant la différence de potentiel entre deux couches ferromagnétiques. L'écriture se fait en modifiant le spin des électrons dans une des ces deux couches.

L'avancée présentée par Toshiba se situe au niveau de l'élément de base d'une mémoire STT-MRAM (spin torque transfert MRAM) qui intègre ces deux couches ferromagnétiques, le MTJ (magnetic tunnel junction). Ce nouveau MTJ nécessite en effet une intensité 6 fois plus faible pour l'écriture, alors que l'écart de résistance entre les états correspondants aux bits 0 et 1 passe de 15 à 200%, ce qui permet de fiabiliser la lecture.


Toshiba annonce ainsi qu'il a pu réduire l'intensité nécessaire pour écrire un MTJ de 50nm à 9µA, et qu'un MTJ de 30nm devrait être parfaitement fonctionnel. Selon le constructeur, les prévisions de l'ITRS (International Technology Roadmap for Semiconductors) sur la STT-MRAM ne tablaient pas sur de telles performances avant 2024.

Cette avancée ouvre la voie à la commercialisation d'ici 3 à 4 ans de puces STT-MRAM offrant des densités de l'ordre d'un Gigabit. Toshiba vise une production en volume dans un processus de fabrication antérieur d'une génération par rapport à celui utilisé sur la DRAM, ce qui ne l'empêche pas d'indiquer que les coûts de production des STT-MRAM et DRAM devraient être proches. Rendez-vous en 2015 pour voir si la promesse est tenue !

Toshiba perfectionne la MRAM

Tags : MRAM; Toshiba;
Publié le 08/11/2007 à 16:40 par Nicolas Gridelet / source: PHYSORG
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Toshiba profite de la 52ème Magnetism and Magnetic Materials Conference à Tampa, en Floride, pour présenter ses dernières avancées sur la MRAM. Pour rappel, cette mémoire non volatile n'utilise pas une charge électrique pour stocker les bits contrairement à la Dynamic Random Access Memory, mais une charge magnétique, à l'instar les disques durs.


Le japonais a trouvé une nouvelle application à l'enregistrement perpendiculaire, créant ainsi le PMA (Perpendicular Magnetic Anisotropy) dont le principe de fonctionnement est similaire à celui utilisé dans les disques durs PMR. Les bits sont codés en orientant les éléments magnétiques perpendiculairement, vers le haut ou vers le bas plutôt qu'horizontalement. Cela nécessite notamment une optimisation de la structure et des matériaux employés. L'intérêt pour la MRAM s'en trouve donc renforcé, reste à savoir quand elle débarquera pour supplanter la Flash de type NOR.

4 Mbits en MRAM chez Motorola

Tags : Motorola; MRAM;
Publié le 28/10/2003 à 19:01 par Marc Prieur
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Motorola est le premier constructeur a annoncé l’échantillonnage de puces de MRAM (Magnetoresistive RAM). Ces puces d’une taille de 512 Ko sont gravées en 0.18µ, représentent une étape supplémentaire dans le développement de ce nouveau type de mémoire, puisque en février 2002 Motorola avait présenté une puce de 32 Ko, puis une puce de 128 Ko gravée en 0.6µ en juin de la même année.

Pour rappel, la MRAM n'utilise pas une charge électrique pour stocker les bits contrairement à la Dynamic Random Access Memory, mais une charge magnétique, comme les disques durs par exemple. Selon les constructeur, la MRAM aurait à la fois les avantages de la SRAM (vitesse - environ 10 nanosecondes de temps d'accès a priori), de la DRAM (haute capacité, coût réduit) et de la Flash Memory (non volatilité), tout en consommant très peu (bon point pour les appareils mobiles donc).

En 2001, Motorola avait annoncé qu'il atteindrait les 512 Ko en 2003. Le constructeur est donc dans les temps. De leur côté, IBM et Infineon envisagaient à la même période de passer directement à des puces de 16 et 32 Mo fabriquées en 0.13 Micron en 2004. Wait & See ...

Roadmap MRAM

Tag : MRAM;
Publié le 18/04/2001 à 18:06 par Marc Prieur / source: EETimes
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Ca s’agite autour de la MRAM. Alors qu’en Décembre 2000 IBM et Infineon annonçait leur association afin de développer conjointement ce type de mémoire et qu’en Février 2001 Motorola avait la démonstration des premières puces, on en sait plus sur les plans de ces deux acteurs. Ainsi, Motorala prévoit de produire des chips de 512 Ko dès 2003, alors qu’IBM et Infineon envisagent de passer directement à des puces de 16 et 32 Mo fabriquées en 0.13 Micron en 2004. Si vous ne connaissez pas encore la MRAM, vous pouvez lire cette news postée en décembre qui en expliquait le principe :

IBM et Infineon viennent d'annoncer leur association afin de développer conjointement la MRAM. La MRAM, ou Magnetic Random Access Memory, n'utilise pas une charge électrique pour stocker les bits contrairement à la Dynamic Random Access Memory, mais une charge magnétique, comme les disques durs par exemple. Selon IBM et Infineon la MRAM aurait à la fois les avantages de la SRAM (vitesse - environ 10 nanosecondes de temps d'accès a priori), de la DRAM (haute capacité, coût réduit) et de la Flash Memory (non volatilité), tout en consommant très peu (bon point pour les appareils mobiles donc). Bien entendu la lecture et l'écriture ne se feront pas comme sur un disque dur via un ensemble de bras portant des têtes de lecture / écriture.

En fait, les données sont stockées entre deux couches ferro-magnétiques. Les bits sont codés en orientant les éléments magnétiques, soit dans le sens parallèle ou non-parallèle ce qui crée une différence de potentiel entre les deux couches. Le courant passant en suite dans l'élément lit ces bits, à la manière d'une tête magnéto résistive de disque dur. L'écriture se fait en orientant ces éléments magnétiques au moyen d'un champ magnétique crée entre les deux couches via un lien entre ces deux dernières.

Le principal avantage est l'absence de tout transistor ou capacité qui nécessite d'être alimentée en continu pour garder son état. S'en suit donc une consommation électrique et un dégagement calorifique très fortement réduits. Le principal problème consiste en la présence de très nombreuses couches de métaux, de l'épaisseur de quelques atomes dont le but est de récréer une sorte de relief.

A cause de l'extrême complexité et concentration de ceux-ci (on se rapproche de plus en plus de la nano-techonogie), les premiers produits MRAM ne devraient voir le jour qu'aux environs de 2003-2004 dans le meilleur des cas.


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