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La Resistive RAM (RRAM ou ReRAM) a refait parler d'elle lors de l'IEEE International Electron Devices Meeting qui a eu lieu en cette fin d'année à San Francisco. Pour rappel cette mémoire non volatile est une des candidates à la succession de la Flash pour le stockage, avec entre autre des accès aléatoires bien plus rapides, une endurance accrue et la possibilité à termes d'être gravée avec une finesse de 4-5nm. D'autres technologies sont en concurrence comme la Phase-change RAM (PRAM) ou la Spin-Torque-Transfer RAM (STT RAM).

Micron et Sony, qui avaient annoncé avoir produit une puce de 2 Go en février dernier, ont donné quelques résultats obtenus en pratique sur leur puce. En pratique ils ont pu atteindre les 900 Mo /s en lecture avec une latence de 2,3 µs, là où le design permet en théorie d'atteindre 1 Go et 2 µs. En écriture la vitesse est de 180 Mo /s contre 11,7 µs, le design permettant au maximum d'atteindre 200 Mo /s et 10 µs.



La start-up Crossbar, qui avait fait parler d'elle l'an passé, a également indiqué  avoir effectué des avancées qui lui permettront à terme de produire de la RRAM "3D". La première implémentation pourrait arriver en 2017 sous la forme d'une puce de 128 Go sur 16 couches fabriquée en 28nm.

Micron et Sony ont profité de l'ISSCC pour annoncer  avoir produit un prototype de ReRAM (Resistive RAM) qui sur le papier semble particulièrement intéressant. Pour rappel, la ReRAM est un nouveau type de mémoire non-volatile, basée sur le Memristor d'Hewlett Packard qui permet en théorie de faire le lien en terme de coûts et de performances entre la mémoire classique (DRAM) et celle utilisée dans les SSD (NAND).

Côté caractéristiques, la puce de Micron/Sony est assez alléchante sur le papier. Fabriquée en 27nm, cette puce utilise une surface de 168mm2 et propose 16 Gbit de stockage - parmi les plus grosses annoncées jusqu'ici (Sandisk et Toshiba avaient annoncé l'année dernière une puce 32 Gbit). C'est en prime l'une des plus rapides avec des taux de transferts de 1 Go/s en lecture et 200 Mo/s en écriture et des latences très basses (2 et 10 microseconde).


Produire des puces ReRAM qui soient à la fois de large capacité et rapides était jusqu'ici un challenge, la plupart des puces rapides présentées jusqu'ici ayant une densité en Mbit plutôt qu'en Gbit. Micron et Sony n'ont pas donné de détails sur l'éventuelle arrivée de ces puces sur le marché, qui pourraient par exemple trouver leur place dans un premier temps comme cache dans un SSD pour améliorer les performances.