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A l'occasion d'un billet de blog , Micron indique sur son site que la GDDR5X poursuit ses avancées. Lors du lancement de la GDDR5X début 2016 cette mémoire ne dépassait pas les 13 Gbps en laboratoire, ce sont désormais les 16 Gbps qui ont été atteint. Reste à voir si et quand des puces GDDR5X plus rapides arriveront sur le marché, pour l'instant Micron se "limite" à 12 Gbps, contre 10 Gbps au lancement.

Micron profite également de ce billet pour indiquer qu'il comptait lancer la production en volume de la GDDR6, un standard qui sera utilisé également par Samsung et SK Hynix contrairement à la GDDR5X, début 2018. Alors que la GDDR5X utilise un mode QDR pour augmenter le débit face à la GDDR5, du côté de la GDDR6 chaque puce sera adressée via deux canaux en parallèle. Cette-fois le constructeur semble viser l'intervalle 12-14 Gbps en terme de débit, ce qui lui donnerait un léger avantage en l'état de la production GDDR5X. A noter que SK Hynix a pour sa part annoncé qu'il serait à 16 Gbps début 2018.

Micron a également pris la parole pendant la première matinée de Hot Chips, comme nous le rapportent une fois de plus nos confrères de ComputerBase . Ces derniers qualifient d'une honnêteté rafraîchissante la présentation de Micron, ne cherchant pas forcément à annoncer des chiffres extravagants. La société aurait même regretté, si l'on en croit nos confrères, que son partenaire Intel ait annoncé beaucoup trop tôt la mémoire 3D XPoint !

 

 

Dans le détail, Micron n'aura pas pu s'empêcher tout de même de qualifier la HBM de "mauvaise copie" de sa propre technologie Hybrid Memory Cube, plus complexe, coûteuse, et surtout assez peu disponible (elle devrait être présente sur le prochain Xeon Phi d'Intel, Knights Landing). Micron estime que la HMC dispose de nombreux avantages pour le marché du HPC, avec par exemple un meilleur algorithme de CRC que celui utilisé par le JEDEC pour la HBM.

Micron aura également évoqué la DDR5 qui aura pour objectif de doubler la bande passante par rapport à la DDR4. Micron estime produire ses premiers échantillons courant 2018, avec une production en volume possiblement en 2019, mais plus probablement pour 2020.

Outre le tacle envers son partenaire Intel sur la mémoire 3D XPoint, on ne retiendra pas beaucoup d'informations, si ce n'est que Micron confirme que ce nouveau type de mémoire sera en production avant la fin de l'année.

On retiendra ce dernier slide qui préfigure de ce que l'on devrait voir arriver sous peu sur les serveurs, avec deux tiers de mémoire DRAM. D'un côté une mémoire "proche", intégrée au processeur et rapide (HBM, ou plutôt HMC dans la vision de Micron) qui s'adjoint à la mémoire DRAM en barrettes plus classique. 3D XPoint et la 3D NAND proposant de leur côté deux tiers de stockages persistants.

Micron continue dans sa voie de l'originalité, dans un marché de la mémoire certes très concurrentiel. La société continue de mettre en avant sa GDDR5X, certes standardisée par le JEDEC mais qui n'a pas été adoptée par ses concurrents, mais aussi des solutions plus propriétaires comme l'Hybrid Memory Cube et 3D XPoint. Avec les ambitions de SK Hynix et de Samsung de pousser la HBM sur le terrain des PC clients, on peut cependant se demander si le pari d'ignorer la mémoire HBM ne se retournera pas contre Micron dans les mois à venir.

Micron a indiqué dans un billet de blog  que sa GDDR5X était déjà produit en volume, étape qui devait initialement se faire durant l'été. Le fabricant est donc en avance, chose assez logique vu l'annonce par Nvidia de la GTX 1080 dont la disponibilité interviendra dès ce 27 mai.

Pour rappel cette carte embarquera 8 Go de GDDR5X à 10 Gb/s sur un bus 256-bit, ce qui permettra d'obtenir une bande passante maximale de 320 Go/s, à comparer aux 336 Go/s et 224 Go/s des GTX 980 Ti et 980 en GDDR5 7 Gb/s sur 384 et 256-bit.

A noter que sur la page catalogue , si cette GDDR5X 10 Gb/s n'est plus annoncée comme étant en "Sampling" elle est en "Contact Factory", il faut peut-être y voir une exclusivité pour Nvidia. Les versions 11 et 12 Gb/s restent pour leur part en phase d'échantillonnage.

Micron a ajouté la GDDR5X à son catalogue , confirmant au passage qu'elle était en cours d'échantillonnage auprès de ses clients. En février dernier Micron indiquait que cette étape interviendrait au printemps, le délai est donc respecté.

La GDDR5X de Micron prends la forme d'une puce de 1 Go 32-bit au format FBGA fonctionnant en 1.35V, elle est déclinée à des vitesses de 10, 11 et 12 Gb/s pour le moment. Seules ces deux dernières vitesses sont en cours d'échantillonnage, on ne trouve par contre pas trace des 13 Gb/s que Micron avaient annoncé avoir atteints il y a peu.

A 12 Gbps, la GDDR5X offre une bande passante accrue de 50% par rapport à la GDDR5 qui plafonne actuellement à 8 Gbps, mais nécessite des accès d'une largeur de 512-bit pour exploiter cette bande passante contre 256-bit en GDDR5. Pour rappel la production en volume est prévue pour cet été.

Au travers d'un billet de blog , Micron a fait le point sur la GDDR5X dont il est l'initiateur et qui a fait l'objet il y a peu d'un standard JEDEC. On y apprend que la première génération offre une capacité de 8 Gb (1 Go) par puce et est fabriquée en 20nm.

Les premiers prototypes sont sortis des chaines de fabrication et ils ont pu atteindre les 13 Gbps, Micron étant confiant dans la possibilité d'atteindre à terme les 14 Gbps et plus. A 13 Gbps on atteindrait 416 Go /s pour une capacité de 8 Go, les puces étant probablement 32 bits, sur un bus 256 bits.

Les échantillons devraient être disponibles durant le printemps et Micron indique mettre en place actuellement la production en volume, la montée en puissance devant être achevée durant l'été. On ne devrait donc pas voir cette mémoire associée à de nouveaux GPU avant le troisième trimestre.