Les derniers contenus liés aux tags 3D NAND et Samsung 850 Pro

Le 850 Pro passera à 4 To début 2016

Publié le 22/09/2015 à 15:48 par Marc Prieur

Samsung vient d'annoncer qu'il déploiera sa troisième génération de V-NAND, dont la production en volume a été annoncée en août, au sein de la gamme 850 Pro début 2016. Cette évolution se fera donc sans changement de dénomination alors que le nombre de die Flash sera en baisse puisque leur capacité unitaire passe de 86 à 128 Gbits en Gen2 à 256 Gbits en Gen3, ce qui pourrait avoir un impact négatif sur les performances sur les SSD de plus petite capacité qu'il faudra surveiller.


Côté capacité, alors que le 850 Pro se limitait à 1 To lors de son lancement en juillet 2014 et était passé à 2 To un an plus tard avec l'arrivée de die 128 Gbits, il passera cette-fois à 4 To ! D'autres modèles profiteront d'une hausse de capacité, ainsi le M.2 850 EVO passera d'une capacité maximale de 500 Go à 1 To alors que le M.2 950 Pro passera de 512 Go à 1 To. Rien n'a par contre filtré concernant la gamme 2.5" 850 EVO.

Samsung lance son 850 EVO en V-NAND TLC

Publié le 08/12/2014 à 16:47 par Marc Prieur

Samsung lance officiellement son Samsung 850 EVO, testé entre autre par nos confrères d'AnandTech . Pour rappel ce SSD attendu depuis quelques mois déjà utilise à l'instar du 850 PRO de la mémoire Flash V-NAND 32 couches, mais cette fois non plus en mode MLC (2 bits par cellule via 4 niveaux de tension) mais TLC (3 bits par cellule via 8 niveaux de tension).

Le Samsung 850 EVO est décliné en versions 120, 250, 500 Go et 1 To. Dans tous les cas on trouve au sein du SSD des puces intégrant 8 die de 128 Gbit, avec au total une à huit puces selon la capacité. La DRAM, de type LPDDR2, varie entre 256 et 1 Go selon le modèle alors que seule la version 1 To dispose d'un contrôleur 3 coeurs, les versions inférieures utilisant un contrôleur à deux coeurs.

Du côté des performances annoncées on est au limite du SATA 6 Gb/s avec 540 Mo /s en lecture et 520 Mo /s en écriture. Attention toutefois ce débit en écriture est obtenu en partie grâce au cache TurboWrite qui utilise selon la version 9 à 36 Go de mémoire TLC pour disposer de 3 à 12 Go de mémoire SLC très rapide. Une fois ce cache rempli, le débit en écriture est de 150, 300, 500 et 520 Mo /s sur les versions 120, 250, 500 et 1 To.

En lecture 4K aléatoire le Samsung 850 EVO est à 10K IOPS en QD1 et 94 à 98K IOPS selon la capacité en QD32, en écriture on obtient 40K IOPS en QD1 dans le cache TurboWrite, 33K IOPS hors TurboWrite. En QD32 on est à 88 à 90K IOPS dans le cache TurboWrite, mais on retombe à 35K et 66K IOPS sur les versions 120 et 250 Go alors que les SSD 500 Go et 1 To seraient capable de maintenir le même niveau de performances.

Au-delà des performances c'est bien entendu de l'endurance qu'on attendait la V-NAND TLC et de ce côté on n'est pas déçu puisque les Samsung 850 EVO sont garantis 5 ans avec des endurances respectives annoncées à 75 To pour les versions 120 et 250 Go et 150 To pour les versions 500 Go et 1 To.

Comme d'habitude il ne s'agit ici que d'un chiffre pessimiste avec une amplification en écriture élevée, et les données SMART relevées lors des tests par AnandTech montrent que Samsung a validé les cellules pour 2000 cycles d'écritures (de quoi atteindre 2000 To sur la version 1 To donc en conditions optimales !), soit le double de celles d'un Samsung 840 EVO. Un Samsung 850 Pro est pour sa part annoncé à 150 To quelle que soit sa capacité, avec une endurance à 6000 cycles d'après son réglage SMART contre 3000 pour un Samsung 840 Pro.

La V-NAND TLC ne semble donc pas avoir à rougir devant la MLC que ce soit du côté des performances comme de l'endurance, avec un gros avantage qui est celui de la densité puisque Samsung annonce l'avoir doublé par rapport à de la mémoire TLC 19nm classique. Attention cela ne veux pas dire que le coût de production est inférieur, la V-NAND étant probablement nettement plus chère à produire à densité égale... mais de ce côté nous n'en sauront pas plus.

Finalement la seule déception se situe côté tarif, puisque les prix annoncés outre-Atlantique sont les suivant :

  • 100$ en version 120 Go
  • 150$ en version 250 Go
  • 270$ en version 500 Go
  • 500$ en version 1 To

Si les 20% de plus par rapport aux Samsung 840 EVO sont justifiés, le problème c'est que Samsung n'est pas seul au monde... et que le 840 EVO n'était pas très bien placé face au Crucial MX100 qui est encore moins cher. Le 850 EVO aura pour lui la garantie de 5 ans et une endurance officielle accrue sur la version 500 Go (le MX100 n'existe pas en 1 To, il est annoncé à 72 To d'endurance quelle que soit la capacité alors qu'elle est logiquement 4 fois supérieure en passant de 128 à 512 Go), mais est-ce suffisant ? Quoi qu'il en soit nous verrons bien quels seront les prix réellement pratiqués lorsque les 850 EVO arriveront sur les étalages, ce qui devrait arriver dans les prochaines semaines.

V-NAND TLC en production chez Samsung

Publié le 09/10/2014 à 09:37 par Marc Prieur

Samsung vient d'annoncer qu'il avait débuté la production en volume de sa mémoire Flash 3D Vertical NAND (V-NAND) en version TLC, c'est-à-dire avec des cellules capables de contenir chacune 3 bits via 8 niveaux de tensions distincts. Le constructeur confirme au passage son avance sur ce type de mémoire Flash "3D", les autres constructeurs ayant prévus de débuter la production de ce type de mémoire en 2015 voir 2016.


Comme les versions MLC à 2 bits par cellule, ce sont 32 couches qui sont utilisées. Pour rappel la V-NAND permet un empilement vertical des cellules, ce qui permet malgré une finesse de gravure de 40nm d'atteindre une densité de bits par mm² comparable voir supérieure à celle obtenue par Micron et Toshiba/Sandisk en 16/15nm tout en conservant sur le papier une endurance supérieure.


Les nouvelles puces offrent une capacité de 128 Gbits, en comparaison des 86 Gbits proposés par les puces V-NAND MLC utilisées sur le 850 Pro. Un mois séparait l'annonce de leur production de celle du 850 Pro, l'annonce du 850 EVO utilisant la V-NAND TLC ne devrait donc plus tarder.

Samsung 850 EVO en approche

Publié le 05/09/2014 à 08:58 par Marc Prieur

Après le 850 Pro, Samsung devrait lancer un SSD basé sur de la V-NAND plus abordable, le SSD 850 EVO. Nos confrères de Les Numériques  publient en effet une photo prise lors de l'IFA sur le stand de Samsung le montrant :


Pour le moment on sait juste qu'il stockera comme son prédécesseur 3 bits par cellules (TLC), contre 2 pour le 850 Pro qui est en MLC. Pour rappel cela a un impact sur les performances comme sur la durée de vie de la NAND, mais vu que la V-NAND est meilleure sur ce dernier point que la NAND le 850 EVO pourrait tirer son épingle du jeu, d'autant que la NAND TLC était déjà assez endurante pour un usage classique.

Notez au passage que notre comparatif de SSD 480-512 Go intègre les résultats du Samung 850 Pro, mais nous n'avons par contre pas encore eu le temps de mettre à jour le texte. Comme attendu les performances sont là, et il prend à l'Intel 730 le leadership pour ce qui est des performances dans notre stress-test. Il faudra toutefois vraiment en avoir besoin, pour un usage plus classique vu son tarif nous continuons de privilégier le Crucial MX100.

Samsung 850 Pro avec V-NAND

Publié le 01/07/2014 à 15:16 par Marc Prieur

Samsung lance une nouvelle gamme de SSD, les 850 Pro. Déclinés en versions 128, 256, 512 et 1 To, ces SSD embarquent respectivement 256, 512, 512 et 1024 Mo de cache. Côté sécurité on note le support de l'AES-256 et des normes TCG Opal 2.0 et IEEE-1667. L'interface SATA est toujours de mise, on retrouve donc les niveaux de performances habituels pour le haut de gamme :

Les performances sont de haut vol dès la version 128 Go. Là ou Samsung tape fort c'est côté endurance et garantie puisque le constructeur annonce pour toutes les versions une endurance de 150 To, soit beaucoup plus que d'autres SSD grands publics même si en pratique ce chiffre est facilement atteint, ainsi qu'une garantie de 10 ans (dans la limite des 150 To).

Le secret des 850 Pro se cache en fait au niveau de la mémoire Flash puisque qu'au lieu d'utiliser de la NAND classique, les 850 Pro sont les premiers SSD grand public faisant appel à la 3D NAND, appelée V-NAND chez Samsung.

Avec ce type de mémoire, l'augmentation de la densité au mm² ne se fait plus en réduisant la taille des cellules Flash sur les axes X et Y, avec les problèmes que cela pose en termes d'endurance notamment du fait de la réduction de la taille de la grille flottante, mais grâce à un empilement vertical des cellules.

La V-NAND MLC utilise ainsi des cellules plus larges, avec un espacement de 40nm entre les cellules, mais après avoir produit en volume la V-NAND sur 24 couches en 2013, la V-NAND est passée en 2014 à 32 couches. Du coup la densité d'information au mm² est supérieure à celle obtenue par Micron en 16nm par exemple. Bien entendu en contrepartie Samsung doit amortir des coûts lié à la R&D ainsi qu'aux équipements liés à la V-NAND, de plus le taux de rebuts et le nombre d'étapes nécessaires à la fabrication de la V-NAND sont probablement plus élevés.

Reste que si d'un point de vue coût au Go la V-NAND n'est probablement pas encore au niveau de la NAND "2D", Samsung est le premier à l'introduire en volume ce qui est à saluer. Ce type de mémoire devrait en effet être à terme un passage obligé pour continuer la marche en avant des SSD.

En attendant ce passage obligé, à l'instar des 840 Pro les 850 Pro ne seront pas donnés lorsqu'ils débarqueront en magasin, ce qui est prévu pour le 21 juillet. Il est en effet question de 130$ en 128 Go, 200$ en 256 Go, 400$ en 512 Go et 700$ en 1 To. Il n'est pas certain que les avantages actuels de la V-NAND suffisent à convaincre face à des SSD très compétitifs en terme de prix tels que le Crucial MX100.

Top articles