Actualités informatiques du 18-05-2016

ARM vient d'annoncer  qu'il avait effectué le tape-out d'un puce de test en 10nm chez TSMC. Cette puce intègre 4 coeurs Artemis, le successeur du Cortex-A72, utilisant l'architecture ARMv8-A mais un iGPU simplifié avec un seul coeur graphique. Le communiqué précise que le tape-out, c'est-à-dire l'envoi des informations chez TSMC pour graver la puce, a eu lieu au quatrième trimestre 2015.

ARM a précisé à AnandTech  que le tape-out avait en fait eu lieu en décembre, mais que si la validation de la puce de test est un succès il est question d'un retour de la puce chez ARM dans les semaines à venir, soit un délai tout de même assez long.

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Du coup les chiffres annoncées, qui font état selon les cas de 11-12% de performances en plus pour une même consommation que le 16nm ou d'une consommation réduite de 30% pour les mêmes performances, sont en fait des simulations. Dans le même temps la densité du 10nm TSMC devrait être jusqu'à 2.1x plus importante que celle du 16nm.

Cette annonce fait suite à un partenariat datant d'octobre 2014 sur le 10nm. Pour rappel le début de la production en volume pour le 10nm chez TSMC est prévu pour 2017, mais à l'instar du 20nm une partie des clients attendront le node suivant (7nm) en 2018.

Après avoir racheté OCZ en 2014, Toshiba semble vouloir passer à la vitesse supérieure en termes d'intégration. Le nouveau site d'OCZ  met désormais en avant la marque Toshiba, et le catalogue a au passage été réduit à seulement deux modèles : seuls restent les TR150 et VT180, qui correspondent respectivement aux Trion 150 et Vector 180.

Ces nouveaux SSD arborent là aussi la marque Toshiba, alors que tous les autres sont en fin de vie, ce qui inclue au passage la gamme professionnelle. Le RevoDrive 400 qui avait été présenté au CES et qui est pour rappel un SSD M.2 PCie Gen3 NVMe 1.1b capable d'atteindre 2.4 Go /s en lecture reste à l'ordre du jour selon la page d'accueil.

A l'instar de la ReRAM qui devrait prochainement pointer le bout de son nez avec la 3D Xpoint, la PCM (ou PRAM) est une mémoire dite "universelle", c'est-à-dire une mémoire qui est censée combiner les avantages de la DRAM (vitesse, endurance) et celles de la Flash (densité, rétention, coût). Attention, cela ne veut pas dire pour autant que ce type de mémoire remplacera l'une ou l'autre des technologies, la DRAM ou la Flash restant un peu meilleure chacune dans leurs domaines de prédilection, il s'agira plutôt d'un compromis répondant à certains besoins.

Concernant la PCM, IBM vient de franchir une étape importante puisqu'après avoir réussi à stocker en 2011 2-bit par cellules, des chercheurs ont cette-fois réussi à stocker de manière fiable 3-bit par cellules. Cette densité accrue permettrait selon IBM d'avoir un coût significativement inférieur à la DRAM, plus proche de la Flash. Les données stockées ont pu l'être sur des cellules ayant au préalable été "usées" par un millions de cycles d'endurance, et les lectures se sont avérées fiable malgré des cycles de température variant entre 30 et 80°C.

On est bien sûr encore loin d'une production en volume, ce prototype ne comporte ainsi que 4 millions de cellules et est gravé en 90nm. Reste donc à voir si les nombreuses étapes nécessaires avant la commercialisation pourront être franchies et dans quel délai.