Samsung présente sa SRAM 10nm

Tags : 10nm; Samsung;
Publié le 05/02/2016 à 14:04 par
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Lors de l'ISSCC (International Solid-State Circuits Conference), Samsung a été le seul a communiquer sur le 10nm via la présentation d'une puce de 16 Mo de SRAM gravée en 10nm FinFET de 75.6mm². Deux types de cellules ont été présentées, la première mesure 0,040 µm² et est optimisée pour la densité alors que l'autre de 0,049µm² cible le support d'une intensité plus importante.

Lors de l'ISSCC 2014, Samsung avait présenté une cellule SRAM 14nm de 0,064 µm², la version 10nm fait donc au mieux 0,63x cette taille (TSMC est pour sa part à 0,07 µm² en 16nm). A titre de comparaison Intel avait présenté fin 2014 une première cellule SRAM 14nm de 0,0588 µm² avant de tomber à 0,050 µm² lors de l'ISSCC 2015 il y a un an. En 22nm Intel était à 0,092µm² sur une cellule optimisée pour la densité et à 0,108µm² sur celle optimisée pour le performance/puissance et utilisée dans les processeurs.

On peut donc s'attendre à ce qu'en 10nm Intel soit capable de produire des cellules de SRAM nettement plus petites que celles de Samsung, preuve si il le fallait qu'il ne faut pas se baser uniquement sur la désignation du process… la taille de la SRAM n'étant pas non plus le seul facteur à prendre en compte. Samsung n'as pas donné de détail sur les gains en terme de consommation ou de vitesse sur ce 10nm qui devrait être produit en volume à partir de la fin de l'année.

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