1 Go de DDR4 en 20nm chez Samsung

Samsung vient d'annoncer qu'il avait lancé la production en volume de puces mémoires de 1 Go en DDR4 gravées en 20nm. Pour rappel la production de la DDR4 avait débutée il y a un peu plus d'un an, à l'époque il s'agissait d'une puce de 512 Mo gravée avec un process de "classe 20nm", soit entre 20 et 29nm, probablement dans l'intervalle haute. Cette fois Samsung est donc nettement plus précis...

Cette nouvelle puce va entre-autre être utilisée sur des barrettes Registered de 32 Go qui sont déjà en production, mais Samsung vise à terme les 128 Go par barrettes en empilant les die grâce à la technologie TSV. Sur les barrettes plus classiques (Unbuffered), cette puce de 1 Go permet de mettre au point des barrettes de 16 Go.

En sus de puces 1 Go en DDR4, Samsung produit également en 20nm des puces 512 Mo en DDR3 et 768 Mo en LPDDR3.