Nouvelle usine Samsung

Tags : DDR3; Samsung;
Publié le 22/09/2011 à 11:58 par
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Samsung annonce que sa nouvelle usine Line-16 de 198 000m² était désormais opérationnelle. Destinée à la fabrication de mémoire NAND ou DDR, elle offre à ce jour la plus grosse capacité de production au monde.


La mise en chantier date de mai 2010, et Samsung vient de débuter en son sein la production en volume de mémoires Flash NAND de classe 20nm, le but étant d'atteindre les 10 000 wafers de 300mm de diamètre par mois. Samsung précise au passage qu'il prévoit de débuter la production de Flash de classe 10nm l'an prochain (soit entre 10 et 19nm, très certainement très proche de ce dernier chiffre).

Le fabricant en profite pour annoncer qu'il avait débuté la production en volume de puces mémoires 256 Mo DDR3 de classe 20nm (c'est le cas chez Elpida depuis août), annonçant des économies d'énergie pouvant atteindre les 40% et une hausse de la productivité de 50% par rapport à la DDR3 de classe 30nm introduite il y a un peu plus d'un an. Samsung précise qu'il travaille également à la conception d'une puce 512 Mo DDR3 de classe 20nm pour la fin de l'année.

Cette annonce a lieu dans un contexte difficile pour les fabricants de mémoire, avec des tarifs qui ont été divisés par près de 3 par rapport à la fin d'année passée. On note toutefois un tendance à la hausse ces dernières semaines, puisque le prix d'une puce 256 Mo DDR3-1333 étant remonté à 1.19$ après avoir atteint un plancher de 0.98$ en début de mois.

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