Nouvelle étape pour la MRAM !

Tags : MRAM; Toshiba;
Publié le 06/07/2011 à 17:12 par / source: Tech-On!
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Après la PRAM, c'est autour d'une autre arlésienne, la MRAM, de franchir une étape significative dans son développement. Pour rappel, cette mémoire non volatile n'utilise pas une charge électrique pour stocker les bits contrairement à la DRAM, mais une charge magnétique, à l'instar les disques durs. Depuis ses débuts, elle est présentée comme la mémoire idéale, capable de remplacer la DRAM, la SRAM et la NAND.

La lecture des données utilise le principe de la magnétorésistance à effet de tunnel, en mesurant la différence de potentiel entre deux couches ferromagnétiques. L'écriture se fait en modifiant le spin des électrons dans une des ces deux couches.

L'avancée présentée par Toshiba se situe au niveau de l'élément de base d'une mémoire STT-MRAM (spin torque transfert MRAM) qui intègre ces deux couches ferromagnétiques, le MTJ (magnetic tunnel junction). Ce nouveau MTJ nécessite en effet une intensité 6 fois plus faible pour l'écriture, alors que l'écart de résistance entre les états correspondants aux bits 0 et 1 passe de 15 à 200%, ce qui permet de fiabiliser la lecture.


Toshiba annonce ainsi qu'il a pu réduire l'intensité nécessaire pour écrire un MTJ de 50nm à 9µA, et qu'un MTJ de 30nm devrait être parfaitement fonctionnel. Selon le constructeur, les prévisions de l'ITRS (International Technology Roadmap for Semiconductors) sur la STT-MRAM ne tablaient pas sur de telles performances avant 2024.

Cette avancée ouvre la voie à la commercialisation d'ici 3 à 4 ans de puces STT-MRAM offrant des densités de l'ordre d'un Gigabit. Toshiba vise une production en volume dans un processus de fabrication antérieur d'une génération par rapport à celui utilisé sur la DRAM, ce qui ne l'empêche pas d'indiquer que les coûts de production des STT-MRAM et DRAM devraient être proches. Rendez-vous en 2015 pour voir si la promesse est tenue !

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