DDR3 512 Mo 40nm chez Samsung

Après avoir annoncé en juillet dernier des puces 256 Mo gravées en 40nm, Samsung est le premier à annoncer la production en volume d’une puce DDR3 de 512 Mo en 40nm. Ces puces offrent une densité qui permet d’atteindre des barrettes DDR3 de 16 Go pour desktop, 32 Go pour serveurs et 8 Go pour portables. Fonctionnant entre 1.35v et 1.5v de tension, elles permettent selon Samsung d'économiser jusque 35% d'énergie comparativement aux anciennes solutions en 50nm.

L’arrivée de puces gravées en 40nm devrait permettre d’abaisser sensiblement le coût des puces d’une densité de 512 Mo, ce qui à terme permettra de faire baisser le prix des barrettes mémoire haute capacité.