Actualités informatiques du 07-02-2017

En juillet dernier, Western Digital évoquait l'arrivée d'un die de 512 Gb de NAND 3D 64 couches en TLC. Le constructeur confirme ses dires, puisque la production d'échantillons a débuté.

Western Digital et Toshiba, via la joint-venture Flash Forward, sont donc les premiers à mettre en production un tel die, alors même que la concurrence s'active en la matière : Micron a tout récemment annoncé prendre la même direction, tout comme Samsung.

C'est toujours la structure de type BiCS (Bit Cost Scalable) qui est de mise, et après les 48 couches en 2015, Western Digital/Toshiba était parvenu à une première réussite en 64 couches sur un die de 256 Gb en juillet dernier.

Le constructeur a décidé de passer directement à une densité de données plus importante encore avec ce die de 512 Gb, qui devrait passer en production de masse au cours du second semestre de cette année dans l'usine de Yokkaichi au Japon, usine qu'elle partage avec Toshiba.

On trouve dans un test réalisé sous Sandra  trace d'un Xeon Gold 6150. Derrière cette dénomination se cache en réalité un Skylake-EP, qui est effectivement attendu pour cette année. Un processeur qui vise avant tout les stations de travail, grâce à ses (très) nombreux coeurs. Skylake-EP est en effet conçu pour en supporter jusqu'à 28.

Le Xeon Gold 6150 est pour sa part doté de 18 coeurs (avec HyperThreading) fonctionnant de 2,4 GHz à 3,7 GHz en Turbo. Ce processeur prend place dans le très encombrant socket LGA3647. Toujours d'après le test Sandra, le Xeon Gold dispose de 1 Mo de cache de niveau 2 par coeur et de 25 Mo de cache de niveau 3, la vitesse mesurée démontrant la présence de l'AVX-512.

Pour rappel, AMD a prévu de sortir un CPU orienté serveur au cours du second trimestre de cette année. Naples sera équipé de pas moins de 32 coeurs.

Lors d'une conférence donnée en fin de semaine dernière, Micron a fournit un aperçu de ce que sera son activité durant l'année 2017. Après Samsung et Toshiba, Micron promet aussi de la NAND 3D à 64 couches.

D'après la firme, ce passage à 64 couches va permettre d'accroître la densité de données de 80%, tout en réduisant le coût par bit de 30%, dans le cadre de la NAND TLC.

Plus intéressant encore, Micron semble décidé à jouer sur plusieurs tableaux, en optant pour deux tailles de die différentes. Dans le cadre du stockage "classique", l'entreprise vise des die de 512 Gb de mémoire TLC. Mais Micron a également en tête un format réduit à 59 mm², pour une capacité de 256 Gb. Ce qui en ferait le die de 256 Gb le plus compact sur le marché.

Micron pense évidemment au marché de la mobilité, dont les besoins en termes de capacité de stockage sont de plus en plus importants, toujours avec la même exigence sur la compacité. Un marché sur lequel Micron ambitionne de meilleurs résultats commerciaux que ceux réalisés actuellement.

Après cette NAND 3D de seconde génération, Micron espère débuter la confection de la troisième génération dès la seconde partie de l'année. Sans le dire, la firme évoque probablement la NAND 3D à 96 couches, à même d'augmenter la densité de données par wafer de plus de 40%, chiffre avancé lors de la conférence.

Parallèlement à ces avancées, Micron dit travailler également sur la mémoire QLC (quatre bits par cellule). La firme n'apporte toutefois aucune précision dans le domaine et relativise en précisant qu'elle ne fait, pour l'heure, qu'étudier le marché, afin de savoir quand il sera pertinent de se lancer sur le sujet. La QLC, du fait de sa faible endurance théorique, devra en effet être associée à une gestion fine de l'écriture, afin de rendre ces dernières aussi peu nombreuses que possible.

Enfin, Micron a indiqué vouloir débuter la transition du 20 nm vers le "1X" nm pour la DRAM, pour des économies espérées à la production de l'ordre 20%. La GDDR5 16 nm, notamment, devrait faire son apparition cette année.

Les procédés en 1Y et 1Z nm, plus fins mais sans plus de précisions, sont également prévus : le premier doit être testé dès la seconde partie de cette année (comme c'est le cas chez SK Hynix), avant une commercialisation espérée à horizon fin 2018.

Micron a été assez discret concernant 3D Xpoint, se contentant d'indiquer que cette mémoire était prête pour la commercialisation, et a précisé travailler sur une nouvelle technologie.